硅和二氧化硅的湿化学蚀刻工艺
硅和二氧化硅的湿化学蚀刻
硅是微电子学和微细力学中最常用的衬底材料。它不仅可用作无源衬底，也可用作电子或机械元件的有源材料。如本章所述，所需的图案也可以通过湿化学蚀刻方法来实现。
腐蚀率
各向异性、绝对蚀刻速率和蚀刻的均匀性取决于两种缺陷
晶体硅在koh(左图)和tmah(右图)中的(100)和(110)平面的浓度和温度依赖性刻蚀速率。硅的碱性蚀刻除了需要oh离子外，还需要游离水分子。因此，当碱性溶液较强时，蚀刻速率降低，而且蚀刻硅表面的表面粗糙度降低。
(100)- si和sio2在tmah(左图)和koh(右图)中的刻蚀速率的浓度和温度依赖性选择性。在tmah中，si和sio2的腐蚀速率在不同的tmah浓度下都有最大值，这就是为什么它们的比值呈现局部最小值的原因。
si: sio2的刻蚀选择性
图2:硅的蚀刻速率与室温下蚀刻混合物的hno浓度的关系
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