晶体管的检测经验的分享
（一）晶体管材料与极性的判别
1.从晶体管的型号命名上识别其材料与极性 国产晶体管型号命名的第二部分用英文字母a“d表示晶体管的材料和极性。其中，“a”代表锗材料pnp型管，“b”代表锗材料npn型管，“c”代表硅材料pnp型管，“d”代表硅材料npn型管。
***产晶体管型号命名的第三部分用字母a”d来表示晶体管的材料和类型（不代表极性）。其中，“a”、“b”为pnp型管，“c”、“d”为npn型管。通常，“a”、“c”为高频管，“b”、“d”为低频管。
欧洲产晶体管型号命名的第一部分用字母“a”和“b”表示晶体管的材料（不表示npn或pnp型极性）。其中，“a”表示锗材料，“b”表示硅材料。
2.从封装外形上识别晶体管的引脚 在使用权晶体管之前，首先要识别晶体管各引脚的极性。
不同种类、不同型号、不同功能的晶体管，其引脚排列位置也不同。通过阅读上述“晶体管的封装外形”中的内容，可以快速识别也常用晶体管各引脚的极性。
3.用万用表判别晶体管的极性与材料 对于型号标志不清或虽有型号但无法识别其引脚的晶体管，可以通过万用表测试来判断出该晶体管的极性、引脚及材料。
对于一般小功率晶体管，可以用万用表r×100ω档或r×1k档，用两表笔测量晶体管任意两个引脚间的正、反向电阻值。
在测量中会发现：当黑表笔（或红表笔）接晶体管的某一引脚时，用红表笔（或黑表笔）去分别接触另外两个引脚，万用表上指示均为低阻值。此时，所测晶体管与黑表笔（或红表笔）连接的引脚便是基极b，而别外两个引脚为集电极c和发射极e。若基极接的是红表笔，则该管为pnp管;若基极接的是黑表笔，则该管国 npn管。
也可以先假定晶体管的任一个引脚为基极，与红表笔或黑表笔接触，再用另一表笔去分别接触另外两个引脚，若测出两个均较小的电阻值时，则固定不动的表笔所接的引脚便是基极b，而另外两个引脚为发射极e和集电极c。
找到基极b后，再比较基极b与另外两个引脚之间正向电阻值的大小。通常，正向电阻值较大的电极为发射极e，正向电阻值较小的为集电极c。
pnp型晶体管，可以将红表笔接基极b，用黑表笔分别接触另外两个引脚，会测出两个略有差异的电阻值。在阻值较小的一次测量中，黑表笔所接的引脚为集电极c;在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接的引脚为发射极e。
npn型晶体管，可将黑表笔接基极b。用红表笔去分别接触另外两个引脚。在阻值较小的一次测量中，红表笔所接的引脚为集电极c;在阻值较大一次测量中，红表笔所接的引脚为发射极e。
通过测量晶体管pn结的正、反向电阻值，还可判断出晶体管的材料（区分出是硅管还是锗管）及好坏。一般锗管pn结（b、e极之间或b、c极之间）的正向电阻值为200“500ω，反向电阻值大于100kω;硅管pn结的正向电阻值为3”15kω，反向电阻值大于500kω。若测得晶体管某个pn结的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判断该管已击穿或开路损坏。
（二）晶体管性能的检测
1.反向击穿电流的检测
普通晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可通过测量晶体管发射极e与集电极c之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于r×1k档， npn型管的集电极c接黑表笔，发射极e接红表笔;pnp管的集电极c接红表笔，发射极e接黑表笔。
正常时，锗材料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10kω（用r×100档测，电阻值大于2kω），锗大功率晶体管的电阻值为1.5kω（用 r×10档测）以上。硅材料晶体管的电阻值应大于100kω（用r×10k档测），实测值一般为500kω以上。
若测得晶体管c、e极之间的电阻值偏小，则说明该晶体管的漏电流较大;若测得c、e极之间的电阻值接近0，则说明其c、e极间已击穿损坏。若晶体管c、e极之间的电阻值随着管壳温度的增高而变小许多，则说明该管的热稳定性不良。
也可以用晶体管直流参数测试表的iceo档来测量晶体管的反向击穿电流。测试时，先将hfe/iceo选择开关置于iceo档，选择晶体管的极性，将被测晶体管的三个引脚插个测试孔，然后按下iceo键，从表中读出反向击穿电流值即可。
2.放大能力的检测
晶体管的放大能力可以用万用表的hfe档测量。测量时，应先将万用表置于adj档进行调零后，再拨至hfe档，将被测晶体管的c、b、e三个引脚分别插入相应的测试插孔中（采用to-3封装的大功率晶体管，可将其3个电极接出3根引线后，再分别与三个插孔相接），万用表即会指示出该管的放大倍数。
若万用表无hfe档，则也可使用万用表的r×1k档来估测晶体管放大能力。测量pnp管时，应将万用表的黑表笔接晶体管的发射极e，红表笔接晶体管的集电极c，再在晶体管的集电结（b、c极之间）上并接1只电阻（硅管为100kω锗管为20 kω），然后观察万用表的阻值变化情况。若万用表指针摆动幅度较大，则说明晶体管的放大能力较强。若万用表指针不变或摆动幅较小，则说明晶体管无放大能力或放大能力较差。
测量npn管时，应将万用表的黑表笔接晶体管的集电极c，红表笔接晶体管的发射极e，在集电结上并接1只电阻，然后观察万用表的阻值变化情况。万用表指针摆动幅度越大，说明晶体管的放大能力越强。
也可以用晶体管直流参数测试表的hfe/测试功能来测量放大能力。测量时，先将测试表的hfe/iceo档置于hfe–100档或hfe–300档，选择晶体管的极性，将晶体管插入测试孔后，按动相应的hfe键，再从表中读出hfe值即可。
3.反向击穿电压的检测
晶体管的反向击穿电压可使用晶体管直流参数测试表的v（br）测试功能来测量。测量时，先选择被测晶体管的极性，然后将晶体管插入测试孔，按动相应的v（br）键，再从表中读出反向击穿电压值。
对于反向击穿电压低于50v的晶体管，也可用图5-58中所示的电路进行测试。将待测晶体管vt的集电极c、发射极e与测试电路的a端、b端相连（pnp 管的e极接a点，c极接b点;npn管的e有接b点，c极接a点）后，调节电源电压，当发光二极管led点亮时，a、b两端之间的电压值即是晶体管的反向击穿电压。
（三）特殊晶体管的检测
1.带阻尼行输出管的检测
用万用表r×1档，测量发射结（基极b与发射极e之间）的正、反向电阻值。正常的行输出管，其发射结的正、反向电阻值均较小，只有20“50ω。
用万用表r×1k档，测量行输出管集电结（基极b与集电极c之间）的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔接基极b，红表笔接集电极c）为 3”10kω，反向电阻值为无穷大。若测得正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则说明该管的集电结已击穿损坏或开路损坏。
用万用表r×1k档，测量行输出管c、e极内部阻尼二极管的正、反向电阻值，正常时正向电阻值较小（6“7 kω），反向电阻值为无穷大，若测得c、e极之间的正反向电阻值均很小，则是行输出管c、e极之间短路或阻尼二极管击穿损坏。若测得c、e极之间的正、反向电阻值均为无穷大，则是阻尼二极管开路损坏。
带阻尼行输出管的反向击穿电压可以用晶体管直流参数测试表测量，其方法与普通晶体管相同。
带阻尼行输出管的放大能力（交流电流放大系数β值）不能用万用表的hfe档直接测量，因为其内部有阻尼二极管和保护电阻器。测量时可在行输出管的集电极c 与基极b之间并接1只30 kω的电位器，然后再将行输出管各电极与hfe插孔连接。适当调节电位器的电阻值，并从万用表上读出β值。
2.带阻晶体管的检测
因带阻晶体管内部含有1只或2只电阻器，故检测的方法与普通晶体管略有不同。检测之前应先了解管内电阻器的阻值。
测量时，将万用表置于r×1k档，测量带阻晶体管集电极c与发射极e之间的电阻值（测npn管时，应将黑表笔接c极，红表笔接e极;测pnp管时，应将红表笔接c极，黑表笔接e极），正常时，阻值应为无穷大，且在测量的同时，若将带阻晶体管的基极b与集电极c之间短路后，则应有小于50kω的电阻值。否则，可确定为晶体管不良。
也可以用测量带阻晶体管be极、cb极及ce极之间正、反向电阻值的方法（应考虑到内含电阻器对各极间正、反向电阻值的影响）来估测晶体管是否损坏。
3.光敏三极管的检测
光敏三极管只有集电极c和发射极e两个引脚，基极b为受窗口。通常，较长（或靠近管键的一端）的引脚为e极，较短的引脚的c极。达林顿型光敏三极管封装缺圆的一侧为c极。
检测时，先测量光敏三极管的暗电阻：将光敏三极管的受光窗口用黑纸或黑布遮住，再将万用表置于r×1k档。红表笔和黑表笔分别接光敏三极管的两个引脚。正常时，正、反向电阻均为无穷大。若测出一定阻值或阻值接近0，则说明该光敏三极管已漏电或已击穿短路。
测量光敏三极管的亮电阻：在暗电阻测量状态下，若将遮挡受光窗口的黑纸或黑布移开，将受光窗口靠近光源，正常时应有15”30kω的电阻值。则说明光敏三极管已开路损坏或灵敏度偏低。
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智伴科技持续以AIED为战略新方向，硬件+内容+新零售三翼齐飞
荣耀Magic2的诸多个性化创新将会在很多企业的年货采购中脱颖而出
局部放电检测仪的使用注意事项
1.从晶体管的型号命名上识别其材料与极性 国产晶体管型号命名的第二部分用英文字母a“d表示晶体管的材料和极性。其中，“a”代表锗材料pnp型管，“b”代表锗材料npn型管，“c”代表硅材料pnp型管，“d”代表硅材料npn型管。
***产晶体管型号命名的第三部分用字母a”d来表示晶体管的材料和类型（不代表极性）。其中，“a”、“b”为pnp型管，“c”、“d”为npn型管。通常，“a”、“c”为高频管，“b”、“d”为低频管。
欧洲产晶体管型号命名的第一部分用字母“a”和“b”表示晶体管的材料（不表示npn或pnp型极性）。其中，“a”表示锗材料，“b”表示硅材料。
2.从封装外形上识别晶体管的引脚 在使用权晶体管之前，首先要识别晶体管各引脚的极性。
不同种类、不同型号、不同功能的晶体管，其引脚排列位置也不同。通过阅读上述“晶体管的封装外形”中的内容，可以快速识别也常用晶体管各引脚的极性。
3.用万用表判别晶体管的极性与材料 对于型号标志不清或虽有型号但无法识别其引脚的晶体管，可以通过万用表测试来判断出该晶体管的极性、引脚及材料。
对于一般小功率晶体管，可以用万用表r×100ω档或r×1k档，用两表笔测量晶体管任意两个引脚间的正、反向电阻值。
在测量中会发现：当黑表笔（或红表笔）接晶体管的某一引脚时，用红表笔（或黑表笔）去分别接触另外两个引脚，万用表上指示均为低阻值。此时，所测晶体管与黑表笔（或红表笔）连接的引脚便是基极b，而别外两个引脚为集电极c和发射极e。若基极接的是红表笔，则该管为pnp管;若基极接的是黑表笔，则该管国 npn管。
也可以先假定晶体管的任一个引脚为基极，与红表笔或黑表笔接触，再用另一表笔去分别接触另外两个引脚，若测出两个均较小的电阻值时，则固定不动的表笔所接的引脚便是基极b，而另外两个引脚为发射极e和集电极c。
找到基极b后，再比较基极b与另外两个引脚之间正向电阻值的大小。通常，正向电阻值较大的电极为发射极e，正向电阻值较小的为集电极c。
pnp型晶体管，可以将红表笔接基极b，用黑表笔分别接触另外两个引脚，会测出两个略有差异的电阻值。在阻值较小的一次测量中，黑表笔所接的引脚为集电极c;在阻值较大的一次测量中，黑表笔所接的引脚为发射极e。
npn型晶体管，可将黑表笔接基极b。用红表笔去分别接触另外两个引脚。在阻值较小的一次测量中，红表笔所接的引脚为集电极c;在阻值较大一次测量中，红表笔所接的引脚为发射极e。
通过测量晶体管pn结的正、反向电阻值，还可判断出晶体管的材料（区分出是硅管还是锗管）及好坏。一般锗管pn结（b、e极之间或b、c极之间）的正向电阻值为200“500ω，反向电阻值大于100kω;硅管pn结的正向电阻值为3”15kω，反向电阻值大于500kω。若测得晶体管某个pn结的正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则可判断该管已击穿或开路损坏。
（二）晶体管性能的检测
1.反向击穿电流的检测
普通晶体管的反向击穿电流（也称反向漏电流或穿透电流），可通过测量晶体管发射极e与集电极c之间的电阻值来估测。测量时，将万用表置于r×1k档， npn型管的集电极c接黑表笔，发射极e接红表笔;pnp管的集电极c接红表笔，发射极e接黑表笔。
正常时，锗材料的小功率晶体管和中功率晶体管的电阻值一般大于10kω（用r×100档测，电阻值大于2kω），锗大功率晶体管的电阻值为1.5kω（用 r×10档测）以上。硅材料晶体管的电阻值应大于100kω（用r×10k档测），实测值一般为500kω以上。
若测得晶体管c、e极之间的电阻值偏小，则说明该晶体管的漏电流较大;若测得c、e极之间的电阻值接近0，则说明其c、e极间已击穿损坏。若晶体管c、e极之间的电阻值随着管壳温度的增高而变小许多，则说明该管的热稳定性不良。
也可以用晶体管直流参数测试表的iceo档来测量晶体管的反向击穿电流。测试时，先将hfe/iceo选择开关置于iceo档，选择晶体管的极性，将被测晶体管的三个引脚插个测试孔，然后按下iceo键，从表中读出反向击穿电流值即可。
2.放大能力的检测
晶体管的放大能力可以用万用表的hfe档测量。测量时，应先将万用表置于adj档进行调零后，再拨至hfe档，将被测晶体管的c、b、e三个引脚分别插入相应的测试插孔中（采用to-3封装的大功率晶体管，可将其3个电极接出3根引线后，再分别与三个插孔相接），万用表即会指示出该管的放大倍数。
若万用表无hfe档，则也可使用万用表的r×1k档来估测晶体管放大能力。测量pnp管时，应将万用表的黑表笔接晶体管的发射极e，红表笔接晶体管的集电极c，再在晶体管的集电结（b、c极之间）上并接1只电阻（硅管为100kω锗管为20 kω），然后观察万用表的阻值变化情况。若万用表指针摆动幅度较大，则说明晶体管的放大能力较强。若万用表指针不变或摆动幅较小，则说明晶体管无放大能力或放大能力较差。
测量npn管时，应将万用表的黑表笔接晶体管的集电极c，红表笔接晶体管的发射极e，在集电结上并接1只电阻，然后观察万用表的阻值变化情况。万用表指针摆动幅度越大，说明晶体管的放大能力越强。
也可以用晶体管直流参数测试表的hfe/测试功能来测量放大能力。测量时，先将测试表的hfe/iceo档置于hfe–100档或hfe–300档，选择晶体管的极性，将晶体管插入测试孔后，按动相应的hfe键，再从表中读出hfe值即可。
3.反向击穿电压的检测
晶体管的反向击穿电压可使用晶体管直流参数测试表的v（br）测试功能来测量。测量时，先选择被测晶体管的极性，然后将晶体管插入测试孔，按动相应的v（br）键，再从表中读出反向击穿电压值。
对于反向击穿电压低于50v的晶体管，也可用图5-58中所示的电路进行测试。将待测晶体管vt的集电极c、发射极e与测试电路的a端、b端相连（pnp 管的e极接a点，c极接b点;npn管的e有接b点，c极接a点）后，调节电源电压，当发光二极管led点亮时，a、b两端之间的电压值即是晶体管的反向击穿电压。
（三）特殊晶体管的检测
1.带阻尼行输出管的检测
用万用表r×1档，测量发射结（基极b与发射极e之间）的正、反向电阻值。正常的行输出管，其发射结的正、反向电阻值均较小，只有20“50ω。
用万用表r×1k档，测量行输出管集电结（基极b与集电极c之间）的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔接基极b，红表笔接集电极c）为 3”10kω，反向电阻值为无穷大。若测得正、反向电阻值均为0或均为无穷大，则说明该管的集电结已击穿损坏或开路损坏。
用万用表r×1k档，测量行输出管c、e极内部阻尼二极管的正、反向电阻值，正常时正向电阻值较小（6“7 kω），反向电阻值为无穷大，若测得c、e极之间的正反向电阻值均很小，则是行输出管c、e极之间短路或阻尼二极管击穿损坏。若测得c、e极之间的正、反向电阻值均为无穷大，则是阻尼二极管开路损坏。
带阻尼行输出管的反向击穿电压可以用晶体管直流参数测试表测量，其方法与普通晶体管相同。
带阻尼行输出管的放大能力（交流电流放大系数β值）不能用万用表的hfe档直接测量，因为其内部有阻尼二极管和保护电阻器。测量时可在行输出管的集电极c 与基极b之间并接1只30 kω的电位器，然后再将行输出管各电极与hfe插孔连接。适当调节电位器的电阻值，并从万用表上读出β值。
2.带阻晶体管的检测
因带阻晶体管内部含有1只或2只电阻器，故检测的方法与普通晶体管略有不同。检测之前应先了解管内电阻器的阻值。
测量时，将万用表置于r×1k档，测量带阻晶体管集电极c与发射极e之间的电阻值（测npn管时，应将黑表笔接c极，红表笔接e极;测pnp管时，应将红表笔接c极，黑表笔接e极），正常时，阻值应为无穷大，且在测量的同时，若将带阻晶体管的基极b与集电极c之间短路后，则应有小于50kω的电阻值。否则，可确定为晶体管不良。
也可以用测量带阻晶体管be极、cb极及ce极之间正、反向电阻值的方法（应考虑到内含电阻器对各极间正、反向电阻值的影响）来估测晶体管是否损坏。
3.光敏三极管的检测
光敏三极管只有集电极c和发射极e两个引脚，基极b为受窗口。通常，较长（或靠近管键的一端）的引脚为e极，较短的引脚的c极。达林顿型光敏三极管封装缺圆的一侧为c极。
检测时，先测量光敏三极管的暗电阻：将光敏三极管的受光窗口用黑纸或黑布遮住，再将万用表置于r×1k档。红表笔和黑表笔分别接光敏三极管的两个引脚。正常时，正、反向电阻均为无穷大。若测出一定阻值或阻值接近0，则说明该光敏三极管已漏电或已击穿短路。
测量光敏三极管的亮电阻：在暗电阻测量状态下，若将遮挡受光窗口的黑纸或黑布移开，将受光窗口靠近光源，正常时应有15”30kω的电阻值。则说明光敏三极管已开路损坏或灵敏度偏低。
努比亚Z17、金立S10、小米6、vivoXplay6这几款国产小霸王，真要把三星苹果逼疯！
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科耀机电展开MES全方位研讨项目，实现工业智能化
智伴科技持续以AIED为战略新方向，硬件+内容+新零售三翼齐飞
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局部放电检测仪的使用注意事项