关于射频微机电系统开关的那些事儿

什么是射频微机电系统开关?
射频微机电系统 (rf mems) 开关是低功耗小型微机械开关,可以使用传统的mems制造技术生产。它们类似于房间中的电灯开关,通过触点打开或关闭在开关中传输信号。在rf mems器件中,开关的机械组件大小只在微米级别。与电灯开关不同的是,rf mems开关传输的是射频信号。
射频开关技术
射频开关可以使用多种不同技术实现。除了rf mems开关以外,还有两种主要类型的射频开关:机电式射频开关和固态射频开关。固态开关使用半导体技术进行操作,例如硅或pin二极管、场效应晶体管 (fets) 和混合技术(即pin二极管和场效应晶体管的结合),并使用硅基基板构建。rf mems开关与基于射频-soi(绝缘衬底上的硅)的开关处于竞争关系,后者一直都在不断改进,是当前市场上的主要解决方案。
rf mems开关种类繁多,它们可以用不同的机制来驱动。由于功耗低、尺寸小的特性,静电驱动常用于射频微机电系统开关设计。mems开关也可使用惯性力、电磁力、电热力或压电力来控制打开或关闭。
图1和图2是典型的“悬臂梁” rf mems开关。在这种配置中,固定梁悬挂在基板上,当梁被压下时,梁上的电极接触基板上的电极,将开关置于“开启”状态并接通了电路。
图1:“悬臂梁”型rf mems开关
图2:使用coventormp®中建立的“悬臂梁”
rf开关模型,展示开和关的驱动状态
电容式rf mems开关
最新一代的rf mems开关大多是电容式器件。电容式开关使用电容耦合工作,非常适合高频率的射频应用。在操作过程中,力被施加到像桥一样悬在基板上的梁。当梁被该力(例如静电力)拉下时,会接触到基板上的电介质,使信号终止。桥型电容开关的横截面如图 3 所示,其中使用coventormp® 3d所建的电容式rf mems开关模型处于未变形状态,如图 4 所示。
图3:桥型电容式rf mems开关
图4:使用coventormp® 3d建立的桥型
rf开关的模型处于未变形状态
rf mems的商业化
rf mems开关的开发早在20多年前就开始了,但当时在市场上取得的成功有限。早期,商业化的主要障碍在于可靠性。rf开关需要经受数十亿次开关循环的考验。要找到开关材料极具挑战——既要求足够坚固,能经历大量开关的循环,同时又得非常柔软才能在闭合时形成良好的接触。rf mems开关(特别是它们的电极)需要一种基于机械材料合成层的制造技术。开关的可靠性受到这些合成材料中电气和机械应力的影响,同时温度依赖性以及对冲击和振动敏感性也会影响其可靠性。
下一代电信系统和智能手机对rf mems开关和其他rf mems器件的需求在不断增长。根据半导体市场调研机构yole développement的报告,rf mems器件市场将大幅增长。yole指出,由于5g设备中需要有源天线,5g通信的发展将增加对基于mems的器件(如rf mems baw滤波器)的需求。此外,rf mems振荡器会被用于部署与5g相关的新基站和边缘计算。
结论
由于其机械特性,rf mems开关与现有技术相比具有多项优势,包括闭合时阻力很低、打开时阻力很高。此外,它具有体积小、功率要求低、开关速度快、信号损耗低、高断态隔离和电路规模集成能力等优点。随着新的制造工艺和材料准备就绪,频率在几十ghz范围内的射频微机电系统开关被广泛用于包括5g移动蜂窝通信在内的电信系统,带来rf mems器件的巨大增长。


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