XM8A01M16V33A在功能上等效于异步SRAM
xram是一种旨在以具有竞争力的价格提供高密度和高性能ram的新型内存体系结构.xram使用先进的dram技术和自刷新体系结构显着提高了内存密度并简化了用户界面。
xram是一种基于先进的dram工艺，再结合星忆创新的三态dram和免刷新dram两种专利技术的新型存储器件。不同于传统的dram芯片和sram，它具有以下特点：
•成本 同等条件下晶圆面积节省30% ，晶圆产出预估可以增加25%
•速度, 数据读取延时达到10ns级，相比dram要快10倍
•存储密度, 单片支持mbit和gbit
•功耗, 存储阵列损耗减少40%
•无刷新, 简化控制器设计和时序操作，完全随机访问，提高总线利用率
•高可靠性，支持-40~125摄氏度环境温度
xm8a01m16v33a在功能上等效于异步sram，是一种高性能16m cmos国产sram存储器芯片，组织为1024k字乘以16位和2048k字乘以8位，支持异步sram存储芯片接口。
xm8a01m16v33a（1m×16）48引脚tsop i引脚排列
xm8a01m16v33a特征
•异步xram芯片内存
•高速访问时间
•taa = 10/12纳秒
•低有功功率
•icc = 80 mhz时为75 ma
•低cmos待机电流
•isb2 = 40 ma（典型值）
•工作电压范围：2.2 v至3.6 v
•取消选择时自动掉电
•ttl兼容的输入和输出
•提供44引脚tsop ii，48引脚tsop i封装和48焊球fbga封装
星忆存储专注于xram产品开发设计，提供高性能和低延时，低功耗及免刷新动态随机存储器芯片产品。致力于通过创新型存储芯片技术商业化、产业化的过程，带动国产存储器芯片的底层技术攻关和相关科研工作，从而推动国产存储芯片设计前端产业变革和更进一步的发展。星忆存储代理商英尚微电子支持提供驱动、例程、必要的fae支持等技术支持。
yyq
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•低cmos待机电流
•isb2 = 40 ma（典型值）
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•ttl兼容的输入和输出
•提供44引脚tsop ii，48引脚tsop i封装和48焊球fbga封装
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