FM25CL64B-GTR是一款串行FRAM存储器
fm25cl64b-gtr是串行fram存储器。存储器阵列在逻辑上组织为8，192×8位，可使用行业标准的串行外围设备接口（spi）总线进行访问。fram的功能操作类似于串行闪存和串行eeprom。fm25cl64b-gtr与具有相同引脚排列的串行闪存或eeprom之间的主要区别在于fram的优越写入性能，高耐用性和低功耗。
fm25cl64b-gtr是采用高级铁电工艺的64kb非易失性存储器。铁电存储器或fram是非易失性的，并且执行类似于ram的读取和写入操作。它提供了151年的可靠数据保留，同时消除了由串行闪存，eeprom和其他非易失性存储器引起的复杂性，开销和系统级可靠性问题。
与串行闪存和eeprom不同，fm25cl64b-gtr以总线速度执行写操作。没有写入延迟。每个字节成功传输到设备后，立即将数据写入存储器阵列。下一个总线周期可以开始而无需数据轮询。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品具有显着的写入耐久性。fm25cl64b-gtr铁电存储器能够支持1014个读/写周期，或比eeprom多1亿倍的写周期。
这些功能使fm25cl64b-gtr非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储器应用。例子包括数据收集（可能是关键的写周期数）到要求苛刻的工业控制，在这些情况下，串行闪存或eeprom的长写入时间会导致数据丢失。
fm25cl64b-gtr为串行eeprom或闪存的用户提供了实质性的好处，可以作为硬件的替代产品。fm25cl64b-gtr使用高速spi总线，从而增强了fram技术的高速写入能力。在–40℃至+85℃的工业温度范围内保证器件的规格。
耐力
fm25cl64b-gtr器件至少可以被访问1014次，可以进行读取或写入。fram存储器具有读取和还原机制。因此，对于存储阵列的每次访问（读取或写入），将按行施加耐久周期。fram体系结构基于1k行（每个64位）的行和列的阵列。一次读取或写入单个字节还是全部八个字节都将在内部访问整行。在耐久性计算中，该行中的每个字节仅被计数一次。一个64字节重复循环的耐久性计算，该循环包括一个操作码，一个起始地址和一个顺序的64字节数据流。
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