DS32X35带有铁电随机存取存储器的高精度实时时钟(RTC
摘要：该应用笔记介绍了ds32x35系列产品。这些器件为带有铁电随机存取存储器(rtc + fram)的高精度实时时钟，无需外接电池即可保持存储器内容。
概述随着ds32x35系列产品的发布，maxim能够提供无需电池的非易失存储器。这些器件采用了铁电随机存取存储器(fram)技术，fram是非易失存储器，其读/写操作与ram类似。该系列器件能够可靠地将数据保持10年之久，与eeprom和其它非易失存储器不同的是：它不需要考虑系统的复杂性、过度开销以及可靠性问题。从1992年出现第一块fram至今，这项技术已经趋于成熟 非易失存储器目前的非易失存储技术主要有三种：电池备份的sram、eeprom和闪存。在非易失存储速度方面，fram类似于传统的sram；fram的操作类似于串行eeprom，主要区别在于它具有更好的写操作特性和耐用性。能够以i²c接口的速度对存储器进行读或写操作。在写操作过程中，无需轮询器件确认就绪条件。
表1给出了非易失存储技术的评定，评定等级1 (最好)至4 (最差)。
表1. 非易失存储器的技术评定
features battery-backed sram eeprom flash fram
read speed 1 4 2 1
write speed 1 4 4 1
power consumption 3 4 4 1
memory density 2 4 1 4
ease of use 2 3 4 1
endurance 1 3 4 1
fram相对于eeprom的优势相对于同等容量的eeprom，fram具有很多优势。第一个优势是fram能够以总线速度执行写操作，且数据开始传输后没有任何写延时。另外，fram没有采用页面写操作方式，用户可以简便地连续写入数据。数据传输时没有尺寸限制，没有延时。必要时，系统可以采用突发模式对整个存储器阵列进行写操作。
第二个优势是写操作耐久性，写次数高达100亿次。多数eeprom只写次数只能达到100万次。实际上可认为fram没有写次数的限制，非常适合数据采集应用。
第三个优势是微功耗，有助于节省电能。fram采用铁电存储机制，可通过本地vcc支持写操作，eeprom则需要一个电荷泵或升压电路。由此可见，fram的电流消耗远远低于类似配置的eeprom。 ds32x35带有fram的高精度rtcds32x35是一款温补时钟/日历芯片，单个封装内集成了32.768khz晶体和非易失存储器。 非易失存储器采用两种配置: 2048 x 8位或8192 x 8位。器件采用20引脚、300mil so封装。ds32x35包括一个fram区，无需电池备份即可保持存储器的内容。此外，该系列器件可无限次地进行读、写操作。在产品有效使用期内，允许进行无限次的存储器访问，并且不存在磨损。
该系列器件的其它特性包括：两个定时闹钟、可以选择的中断或可编程方波输出、一路经过校准的32.768khz方波输出。复位输入/输出引脚提供上电复位功能，另外，复位引脚还可以作为按键控制输入由外部产生复位。rtc和fram通过i²c串口访问。 地址要求串行fram存储器提供2048 x 8位或8192 x 8位存储器阵列，通过i²c接口访问。由于阵列配置不同，不同版本ds32x35的i²c寻址技术也有差异。表2详细说明了不同版本ds32x35的寻址要求。
表2. 存储器从地址
part memory (kb) slave address address cycle 1 address cycle 2
ds32b35 2 1010 a10a9a8r a7a6a5a4 a3a2a1a0 n/a
ds32c35 8 1010 000r xxxa12 a11a10a9a8 a7a6a5a4 a3a2a1a0
r = 读写选择位；x = 无关；an = 第n位地址 结论新型ds32x35系列产品具有精确的计时功能，将四个分离器件集成到单一芯片。图1给出了集成rtc、非易失存储器、系统复位和32.768khz晶体的ds32x35内部框图。
图1. ds32x35的高集成度优势
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概述随着ds32x35系列产品的发布，maxim能够提供无需电池的非易失存储器。这些器件采用了铁电随机存取存储器(fram)技术，fram是非易失存储器，其读/写操作与ram类似。该系列器件能够可靠地将数据保持10年之久，与eeprom和其它非易失存储器不同的是：它不需要考虑系统的复杂性、过度开销以及可靠性问题。从1992年出现第一块fram至今，这项技术已经趋于成熟 非易失存储器目前的非易失存储技术主要有三种：电池备份的sram、eeprom和闪存。在非易失存储速度方面，fram类似于传统的sram；fram的操作类似于串行eeprom，主要区别在于它具有更好的写操作特性和耐用性。能够以i²c接口的速度对存储器进行读或写操作。在写操作过程中，无需轮询器件确认就绪条件。
表1给出了非易失存储技术的评定，评定等级1 (最好)至4 (最差)。
表1. 非易失存储器的技术评定
features battery-backed sram eeprom flash fram
read speed 1 4 2 1
write speed 1 4 4 1
power consumption 3 4 4 1
memory density 2 4 1 4
ease of use 2 3 4 1
endurance 1 3 4 1
fram相对于eeprom的优势相对于同等容量的eeprom，fram具有很多优势。第一个优势是fram能够以总线速度执行写操作，且数据开始传输后没有任何写延时。另外，fram没有采用页面写操作方式，用户可以简便地连续写入数据。数据传输时没有尺寸限制，没有延时。必要时，系统可以采用突发模式对整个存储器阵列进行写操作。
第二个优势是写操作耐久性，写次数高达100亿次。多数eeprom只写次数只能达到100万次。实际上可认为fram没有写次数的限制，非常适合数据采集应用。
第三个优势是微功耗，有助于节省电能。fram采用铁电存储机制，可通过本地vcc支持写操作，eeprom则需要一个电荷泵或升压电路。由此可见，fram的电流消耗远远低于类似配置的eeprom。 ds32x35带有fram的高精度rtcds32x35是一款温补时钟/日历芯片，单个封装内集成了32.768khz晶体和非易失存储器。 非易失存储器采用两种配置: 2048 x 8位或8192 x 8位。器件采用20引脚、300mil so封装。ds32x35包括一个fram区，无需电池备份即可保持存储器的内容。此外，该系列器件可无限次地进行读、写操作。在产品有效使用期内，允许进行无限次的存储器访问，并且不存在磨损。
该系列器件的其它特性包括：两个定时闹钟、可以选择的中断或可编程方波输出、一路经过校准的32.768khz方波输出。复位输入/输出引脚提供上电复位功能，另外，复位引脚还可以作为按键控制输入由外部产生复位。rtc和fram通过i²c串口访问。 地址要求串行fram存储器提供2048 x 8位或8192 x 8位存储器阵列，通过i²c接口访问。由于阵列配置不同，不同版本ds32x35的i²c寻址技术也有差异。表2详细说明了不同版本ds32x35的寻址要求。
表2. 存储器从地址
part memory (kb) slave address address cycle 1 address cycle 2
ds32b35 2 1010 a10a9a8r a7a6a5a4 a3a2a1a0 n/a
ds32c35 8 1010 000r xxxa12 a11a10a9a8 a7a6a5a4 a3a2a1a0
r = 读写选择位；x = 无关；an = 第n位地址 结论新型ds32x35系列产品具有精确的计时功能，将四个分离器件集成到单一芯片。图1给出了集成rtc、非易失存储器、系统复位和32.768khz晶体的ds32x35内部框图。
图1. ds32x35的高集成度优势
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