华为开启自研IGBT器件之路，与安世半导体、华微电子合作
11月29日消息，据消息报道，从业内人士获悉，华为已开始研发igbt，目前正在从某国内领先的igbt厂商中挖人。
igbt（insulated gate bipolar transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由bjt（双极型三极管）和mos（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有mosfet的高输入阻抗和gtr的低导通压降两方面的优点。igbt是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“cpu”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
据华为官网显示，igbt早已成为其ups电源的核心器件。做为一种双极晶体管复合的器件，igbt不仅具有易于驱动，控制简单，开关频率高等优点，同时又具备导通电压低，通态电流大，损耗小等技术优势。
据报道，我国功率半导体市场占世界市场的50%以上，是全球最大的igbt市场，但igbt产品严重依赖进口，在中高端领域更是90%以上的igbt器件依赖进口，长期被英飞凌，三菱，富士电机等国外巨头垄断全球场，igbt国产化需求已是刻不容缓。
据悉，在华为被卷入中美贸易战之前，华为海思主要研发数字芯片，并不涉及功率半导体，华为所需的igbt产品主要从英飞凌等igbt原厂处采购。
被美国加入实体清单给了华为警醒，据悉目前在二极管、整流管、mos管等领域，华为正在积极与安世半导体、华微电子等国内厂商合作，加大对国内功率半导体产品的采购量，而在高端igbt领域，华为却不得不开启自研之路。
值得一提的是，工信部10月8日表示，将持续推进芯片，器件及igbt模块产业发展。
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