2018 年全球半导体产业的资本支出将首次突破千亿美元大关
受惠于半导体产业仍处于循环周期高档的因素，市场调查机构 ic insight 调查报告指出，2018 年全球半导体产业的资本支出将首次突破千亿美元大关。
报告中表示，之前在 2018 年 3 月份，ic insight 曾经预期 2018 年全年半导体的资本支出将成长 8%。如今，才不到一季的时间，ic insigh 就把预估值由原本的 8% 上调至 14%。这样看来，2018 年全年的半导体支出将首次破千亿美元大关，而且金额将比 2016 年足足成长 53%。
报告中进一步指出，近两年来始终位居半导体资本支出龙头的韩国三星，虽然 2018 年还未公布全年的资本支出金额，但是一般相信，将不会超出 2017 年 242 亿美元的数字。不过，就目前的观察，三星仍在上紧发条不放松。
事实上，三星在 2018 年第 1 季的半导体资本支出达到 67.2 亿美元，较之前 3 季水平略高。但是，若相较 2016 年同期，则已经成长近 4 倍的规模。累计过去 4 季以来，三星半导体部门的资本支出已经达到 266 亿美元的金额。
ic insight 预期，2018 年三星半导体的资本支出将在 200 亿元上下，略低于 2017 年 242 亿美元。不过，因为 2018 年首季就有较之前略高的成长。因此，最后的结果很 可能将比预期的 200 亿美元来的高。
另外，因为 nand flash 及 dram 的市场需求强劲，韩国存储器大厂 sk 海力士预期也将在 2018 年增加资本支出至 115 亿美元，较 2017 年的 81 亿美元成长 42%。
而 sk 海力士在 2018 年增加的资本支出，将主用于在韩国清州两家大型存储器工厂的建置工作上。另外，还要扩大中国无锡的 dram 工厂。清州工厂在 2018 年年底前将开始兴建，而中国无锡 dram 厂的扩建，也计划在2018年年底前动工，这时间将比原计划的 2019 年初开工要早几个月。
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