NP40P012D3 12V p通道增强模式MOSFET
描述
np40p012d3采用先进的战壕提供优良的rds(on)和低栅极技术电荷。它可以用于各种各样的应用。
一般特征
vds = -12v, id = -40a
rds(上)(typ) = 6.9ω@vgs = -4.5 v
rds(上)(typ) = 9.3ω@vgs = -2.5 v
高密度电池设计超低rdson
充分描述雪崩电压和电流
稳定性好，均匀性好，eas高
优秀的包装，良好的散热
高esd能力的特殊工艺技术
100% ui测试
应用程序
汽车应用程序
硬开关和高频电路
不间断电源包
pdfn3.3 8 * 3.3 l
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明，ta=25℃)
电特性(除非另有说明，ta=25℃)
注:1:东亚峰会测试:vdd = 6 v, rg = 25欧姆,l = 500哦
2:脉冲测试;脉冲宽度≦300ns，占空比≦2%。
3:设计保证，不经生产检验。
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