IR推出新系列-30V器件 P沟道MOSFET无需使用电平转
国际整流器公司(international rectifier，简称ir) 推出新系列-30 v器件，采用ir最新的so-8封装,p沟道mosfet硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 p 沟道器件的导通电阻 (rds (on)) 为 4.6 m至59 m，可匹配广泛的功率要求。p 沟道 mosfet 无需使用电平转换或充电泵电路，使其成为系统/负载开关应用非常理想的解决方案。
ir 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“相比上一代产品，这个新型so-8 p 沟道 mosfet系列显著改善了电流处理能力，更为客户提供广泛的导通电阻选择，以适应他们对温度和成本的要求。同时，p 沟道技术也可以简化电路设计。”
p 沟道mosfet器件达到第一级潮湿敏感度 (msl1) 标准，所采用的材料不含铅，且符合电子产品有害物质管制规定 (rohs)。
产品规格
器件编号 封装 bv (v) 最大 vgs (v) 10v下的典型 / 最大rds(on) (m) 4.5v下的典型 / 最大rds(on)(m)
irf9310 so-8 -30 20 3.9 / 4.6 5.8 / 6.8
irf9317 so-8 -30 20 5.4 / 6.6 8.3 / 10.2
irf9321 so-8 -30 20 5.9 / 7.2 9.3 / 11.2
irf9328 so-8 -30 20 10.0 / 11.9 16.1 / 19.7
irf9332 so-8 -30 20 13.6 / 17.5 22.5 / 28.1
irf9333 so-8 -30 20 15.6 / 19.4 25.6 / 32.5
irf9335 so-8 -30 20 48 / 59 83 / 110
irf9362 so-8 (dual) -30 20 17.0 / 21.0 25.7 / 32
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irf9317 so-8 -30 20 5.4 / 6.6 8.3 / 10.2
irf9321 so-8 -30 20 5.9 / 7.2 9.3 / 11.2
irf9328 so-8 -30 20 10.0 / 11.9 16.1 / 19.7
irf9332 so-8 -30 20 13.6 / 17.5 22.5 / 28.1
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