国芯思辰｜1200V碳化硅MOSFET B1M080120HC(替代C2M0080120D)助力光伏逆变器设计
太阳能光伏逆变器可以实现直流电到交流电的转换，是所有光伏发电系统中最关键的部分。典型的太阳能发电框图如下图所示，主要由三部分组成，mppt、直流滤波、dc-ac逆变并网。
太阳能逆变器框图
为了获得高发电量，逆变器效率的提高必不可少，在三相光伏逆变器上的升压部分通常会放置一颗1200v的sic mosfet来替代普通的1200v的si器件，相比具有相同额定值的1200v硅器件，基本半导体碳化硅mosfet系列的能效更高，系统尺寸/重量得到缩减，电力电子系统中的功率密度也有所增加。即便在高温（150°c）下运行，也能发挥一流的耐用性与卓越性能。
基本半导体碳化硅mosfet b1m080120hc，该器件符合rohs标准、无铅、不含卤素，非常适用于光伏逆变器等效率、体积及发热要求较高的应用。
碳化硅mosfet b1m080120hc具有超低导通电阻(rds(on))，分别仅为80mω，可在各种电力转换系统中用作电源半导体开关，其在阻断电压、特征导通电阻和结电容方面的性能显著优于其他碳化硅mosfet。同时还兼具高工作电压和超高切换速度。碳化硅mosfet b1m080120hc可以和wolfspeed的c2m0080120d、罗姆的sct2080ke、英飞凌的imw120r090m1h、st的sct30n120、安森美的nthl080n120sc1实现pin to pin替换。
1200v碳化硅mosfet b1m080120hc的功能与特色如下：
•专为高频、高效应用优化
•极低栅极电荷和输出电容
•低栅极电阻，适用于高频开关
•在各种温度条件下保持常闭状态
•超低导通电阻
注：如涉及作品版权问题，请联系删除。
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1200v碳化硅mosfet b1m080120hc的功能与特色如下：
•专为高频、高效应用优化
•极低栅极电荷和输出电容
•低栅极电阻，适用于高频开关
•在各种温度条件下保持常闭状态
•超低导通电阻
注：如涉及作品版权问题，请联系删除。
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