鉴于预期需求放缓，三星电子明年计划减少内存芯片产量增幅
鉴于预期需求放缓，三星电子明年计划减少内存芯片产量增幅，以确保供应紧缩。
这家全球最大的nand以及dram芯片制造商预测，dram内存的产量位元增长率（bit growth）将低于20%，而nand闪存的位元增长率将为30%。
位元增长率指的是内存的产量，这对衡量需求至关重要。
三星与sk hynix、micron technology一同控制着dram以及nand闪存芯片市场，今年早些时候三星预测2018年dram内存和nand闪存的位元增长率分别为20%和40%。
三星尚未对此消息置评。
芯片设备制造商kla-tencor corp本月曾警告芯片销量将迎来“旱灾”，这引发了大众对此的忧虑，芯片行业长达两年的超级周期也许将中止。
“很多人都担心周期达到峰值，因而减少供应可以支撑定价。苹果已经减少需求，nand的供应量过多，且ssd也未能按照预计的速度增加销量。”elazar advisors的分析师哈依姆·西格尔（chaim siegel）说道。
在第四季度财报公布之前，rival micron股价上涨了3%。western digital以及 seagate technology的股价分别上涨1%和2%。
“这些消息当然会给像micron以及western digital这样的内存公司带来短期利好。”summit insights group分析师kinngai chan说道。
“但是，我们还需要关注未来几个季度内dram以及nand的价格下调比例。”
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