国际电子联合会半导体器件命名方法
国际电子联合会半导体器件命名法
表10 国际电子联合会半导体器件型号命名法
第一部分
第二部分
第三部分
第四部分
用字母表示使用的材料
用字母表示类型及主要特性
用数字或字母加数字表示登记号
用字母对同一型号者分档
符号
意义
符号
意义
符号
意义
符号
意义
符号
意义
a
锗材料
a
检波、开关和混频二极管
m
封闭磁路中的霍尔元件
三
位
数
字
通用半导体器件的登记序号（同一类型器件使用同一登记号）
a
b
c
d
e
l
b
变容二极管
p
光敏元件
b
硅材料
c
低频小功率三极管
q
发光器件
d
低频大功率三极管
r
小功率可控硅
c
砷化镓
e
隧道二极管
s
小功率开关管
f
高频小功率三极管
t
大功率可控硅
一
个
字
母
加
两
位
数
字
专用半导体器件的登记序号（同一类型器件使用同一登记号）
d
锑化铟
g
复合器件
及其它器件
u
大功率开关管
h
磁敏二极管
x
倍增二极管
r
复合材料
k
开放磁路中的霍尔元件
y
整流二极管
l
高频大功率三极管
z
稳压二极管即齐纳二极管
fe或nf）进行分档。
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国际电子联合会半导体器件命名方法
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c
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e
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t
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一
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两
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