东芝推出650V分立IGBT---“GT30J65MRB
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正（pfc）电路[1]的650v分立igbt---“gt30j65mrb”。该产品于今日开始支持批量出货。
功率半导体器件经过业界验证，对于节能工作意义重大，其中包括助力实现碳中和目标。由于在高功率的工业设备和家用电器中，例如变频器在空调中的应用越来越普遍，以及工业设备的大型电源需要降低功耗，因此对高效率开关器件的需求也在增长。这催生了对于pfc电路中低损耗开关器件和更高开关频率的需求。
东芝在其新款igbt中引入了最新的工艺。优化的沟槽结构确保了行业领先[2]的0.35mj（典型值）[3]的低开关损耗（关断损耗），与东芝当前产品gt50jr22相比降低了大约42%[4]。此外，新款igbt还包含一个内置的二极管，其正向电压为1.2v（典型值）[5]，比gt50jr22降低了大约43%[5]。这些改进有助于显著提高设备效率。 对于使用东芝当前产品gt50jr22的空调pfc电路，其工作频率低于40khz[6]。而gt30j65mrb是东芝首款用于60khz[6]以下pfc的igbt，其可通过降低开关损耗（关断损耗）来确保更高的工作频率。
东芝将继续扩大产品线，以充分适应市场趋势，并不断提高设备效率。
图1 关断损耗eoff
图2 效率与壳温
应用
家用电器（空调等）
工业设备（工厂自动化设备、多功能打印机等）
特性
行业领先[2]的低开关损耗（关断损耗）：由最新工艺实现的eoff＝0.35mj[3]（典型值）
采用反向导通（rc）结构的内置续流二极管（fwd）
快速开关时间（下降时间）：tf＝40ns（典型值）（tc＝25℃、ic＝15a、rg＝56ω）
低二极管正向电压：vf＝1.2v（典型值）（tc＝25℃、if＝15a、vge＝0v）
主要规格
（除非另有说明，ta＝25℃）
注：
[1] 功率因数校正（pfc）电路：该电路可减小电压和电流之间的相位差，使功率因数接近于1，以抑制开关电源中产生的谐波分量。
[2] 根据东芝截至2023年3月的调研。
[3] 测试条件：电感负载、vce＝400v、ic＝15a、vge＝15v、rg＝56ω、tc＝175℃
[4] 截至2023年3月，东芝测量值（测试条件：vcc＝400v、ic＝15a、vgg＝+15v/0、rg＝56ω、tc＝175℃）。
[5] 测试条件：if＝15a、vge＝0v、tc＝25℃
[6] 截至2023年3月，由东芝使用其pfc评估板测试得到的测量值。
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东芝在其新款igbt中引入了最新的工艺。优化的沟槽结构确保了行业领先[2]的0.35mj（典型值）[3]的低开关损耗（关断损耗），与东芝当前产品gt50jr22相比降低了大约42%[4]。此外，新款igbt还包含一个内置的二极管，其正向电压为1.2v（典型值）[5]，比gt50jr22降低了大约43%[5]。这些改进有助于显著提高设备效率。 对于使用东芝当前产品gt50jr22的空调pfc电路，其工作频率低于40khz[6]。而gt30j65mrb是东芝首款用于60khz[6]以下pfc的igbt，其可通过降低开关损耗（关断损耗）来确保更高的工作频率。
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图1 关断损耗eoff
图2 效率与壳温
应用
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采用反向导通（rc）结构的内置续流二极管（fwd）
快速开关时间（下降时间）：tf＝40ns（典型值）（tc＝25℃、ic＝15a、rg＝56ω）
低二极管正向电压：vf＝1.2v（典型值）（tc＝25℃、if＝15a、vge＝0v）
主要规格
（除非另有说明，ta＝25℃）
注：
[1] 功率因数校正（pfc）电路：该电路可减小电压和电流之间的相位差，使功率因数接近于1，以抑制开关电源中产生的谐波分量。
[2] 根据东芝截至2023年3月的调研。
[3] 测试条件：电感负载、vce＝400v、ic＝15a、vge＝15v、rg＝56ω、tc＝175℃
[4] 截至2023年3月，东芝测量值（测试条件：vcc＝400v、ic＝15a、vgg＝+15v/0、rg＝56ω、tc＝175℃）。
[5] 测试条件：if＝15a、vge＝0v、tc＝25℃
[6] 截至2023年3月，由东芝使用其pfc评估板测试得到的测量值。
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