NP2016 20v n沟道增强型MOSFET概述
描述
np2016使用先进的海沟技术提供优秀的rds(上)、低门和收费操作门电压2.5 v。thisdevice适合作为负荷开关或脉宽调制应用程序。
一般特征
vds =20v，id r = 16
ds(上)(typ) = 11.5 mΩ@vgs r= 2.5 v
ds(上)(typ) = 9 mΩ@vgs = 4.5 v
high 功率 和 电流 处理 能力
lead 免费 产品
surface 安装 包
应用程序
pwm 应用 程序
负荷开关包
dfn2*2-6l-b
原理图
标记和引脚分配
dfn2 * 2-6l-b
(厚度0.55毫米)
订购信息
典型的性能特征
了解ADC信号链中放大器噪声对总噪声的贡献
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NP2016 20v n沟道增强型MOSFET概述
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5G网络技术对医疗保健行业产生的影响
CMOS图像传感器
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用MCT材料和CdTe /ZnS双层钝化工艺制备碲镉汞中波探测器的研究成果
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布氏硬度计工作原理和介绍
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