双脉冲测试(double pulse test)是分析功率开关器件动态特性的常用测试,通过双脉冲测试可以便捷的评估功率器件的性能,获得稳态和动态过程中的主要参数,更好的评估器件性能,优化驱动设计等等。
虽然功率半导体器件的手册上会有参数标注,但这些参数都是在标准测试条件下得到的。使用igbt或者mosfet做逆变器的工程师如果不加以测试,而直接在标定的工况下跑看能否达到设计的功率,无法全面了解器件性能,进而影响产品长期可靠性。又或者设计裕量过大带来成本增加,使得产品的市场竞争力下降。
如果能在设计研发阶段,精准地了解器件的开关性能,将对整个产品的优化带来极大的好处。比如能在不同的电压、电流和温度下获得开关损耗,给系统仿真提供可靠的数据;又比如可以通过观察波形振荡情况来选择合适的门极电阻。
itech作为功率半导体测试领域的领先供应商,为双脉冲测试提供多种先进电源产品。
双脉冲测试平台
测试设备
1.高压电源:it6700h/it6018c-1500-40/ it-m3906c-1500-12 2.电容组 3.负载电感 4.示波器 5.高压差分电压探头(1000:1) 6.电流探头 7 可编程信号发生器或it2806高精密源测量单元/源表/smu
双脉冲测试流程:
step 1
在t0时刻,被测igbt的门极接收到第一个脉冲,被测igbt导通,母线电压u加在负载电感l上,电感上的电流线性上升,i=u*t/l;
igbt关断前的t1时刻,电感电流的数值由u和l决定;在u和l都确定时,电流的数值由igbt开启的脉宽t1决定,开启时间越长,电流越大;
执行点:通过改变脉冲宽度的大小,自主设定电流的数值。
step 2
t1到t2之间,igbt关断,此时负载的电流l的电流由上管二极管续流,该电流缓慢衰减;
t1时刻,igbt关断,因为母线杂散电感ls的存在,会产生一定的电压尖峰;
关注点:在该时刻,重点是观察igbt的关断过程,电压尖峰是重要的监控对象。
step 3
在t2时刻,被测igbt 再次导通,续流二极管进入反向恢复状态,反向恢复电流会穿过igbt,此时电流探头所测得的ic为frd反向电流与电感电流叠加,产生电流尖峰;
重点观察:igbt的开通过程,电流峰值是重要的监控对象,同时应注意观察栅极波形是否存在震荡现象。
step 4
在t3时刻,被测igbt再次关断,与第一次关断相同,因为母线杂散电感ls的存在,会产生一定的电压尖峰;
重点观察:关断之后电压和电流是否存在不合适的震荡。
通过双脉冲测试我们可以得到什么?
1. 获取icrm(最大峰值电流)irbsoa(最大关断电流)
2.测量主电路杂散电感:us=ls*di/dt
3.评估续流二极管的风险
双脉冲测试中的电流源
随着功率半导体技术的发展,igbt、mosfet、bjt等半导体器件向小型化、集成化、大功率方向发展。为了避免大功率测试过程中温升对测试造成影响、甚至烧坏器件。在法规和行业测试中,通常会给被测器件施加满足功率条件下的瞬时电流脉冲,进行半导体器件相关参数测试。
电容储能式脉冲电流源
脉冲恒流源以储能电容放电的方式发生电流脉冲。从功能实现角度分析,脉冲电源的工作电路由以下两个基本回路组成;
电容充电电路:直流源通过限流电阻r给超级电容充电;
脉冲放电电流:超级电容c通过开关管对负载rl放电;
脉冲电流幅值:电容c充电压控制和电阻rl决定;
脉冲宽度:开关时间t决定;
电容充电:
根据超级电容的特性,充电电源应具备宽范围输出能力,可实现如下功能:
1.电压高速建立并维持稳定;
2.电流高速上升、无明显过冲.
itech高压可编程直流电源型号推荐
it6018c-2250-20
it6018c-1500-40
it-m3906c-1500-12
it6726v
it6000c系列电源最高电压可达2250v,it-m3900c系列电源可达1500v,适应高电压测试需求。it6726v参数为1200v/5a/3kw也可作为基础型选择。
充电电源典型案例:
某客户igbt测试系统使用it6018c-2250-20 给16f电容充电测试:
*it6000c实测曲线*
客户期望在超级电容充电过程中电压建立速度快,过冲小。使用it6000c系列高性能直流电源产品,利用cc/cv优先权功能有优秀的表现,帮助用户提高测试效率。
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