三极管的常用特性参数及工作模式
1.三极管的常用特性参数
关于三极管的规格书，我们可以在里面看到很多参数，对于这些参数我们只有明白它的含义才能真正的理解规格书，所以接下来就汇总一下三极管规格书中一些常见的参数的符号以及它的涵义吧。
beta 或 hfe – 我们在三极管厂商规格书中经常会看到beta 或 hfe，你可不要混淆，因为它们都指的是晶体管的电流增益，也就是ic与ib的比率，beta 和 hfe是可以互换使用的：beta=hfe = i c / i b;
vbe – 基极对地电压减去发射极对地电压 (vb – ve)；
vce – 集电极对地电压减去发射极对地电压 (vc – ve)；
vbc – 相对于地的基极电压减去相对于地的集电极电压 (vb –vc)；
veb – 发射极对地电压减去基极对地电压 (ve – vb)；
vec – 发射极对地电压减去集电极对地电压 (ve – vc)；
vcb – 集电极对地电压减去基极对地电压 (vc – vb)；
对于双极结型晶体管 (bjt)，最大电流是发射极电流 (i e )，其次是集电极电流 (i c )，然后是基极电流 (i b )。i e只是 i c和 i b的总和：ie = ic + ib，一般来说基极电流比较小，所以集电极电流近似等于发射极电流。
2.三极管的三种工作区域以及电路配置
a.放大区；
b.饱和区；
c.截止区；
下图中的灰色阴影部分是放大区，浅蓝色阴影是截止区，而橙色阴影区是饱和区域。在放大区，npn 晶体管的工作特性是根据直流负载线来定义的，npn 的集电极电流跟随基极电流线性变化，q 点只是说明 npn 运行在直流负载线上的哪个位置。在放大区，基极电流的增加将导致集电极电流的相应增加，如下面的方程式所述：
在饱和区，ic或集电极电流最大。在这个区域，基极电流的增加都不会对集电极电流产生更多影响。因此，方程i c = β xi b不再有效。在截止区，没有集电极电流和基极电流。在这个区域，npn 晶体管处于关闭状态，在该区域中，vce 等于集电极电源电压。
为了保证三极管电路正常工作，我们需要注意以下事项，三极管集电极电源电压(vcc)不得超过允许的vce 电压（正电压）（晶体管规格书中提供了允许最大 vce 电压，其符号为vceo：开路集电极-发射极电压），基极偏置电压必须大于 vbe 要求导通电压，基极串联电阻可以设置基极电流，发射极电阻可以设置发射极电压和电流，集电极电阻可以设置集电极电压和电流。
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beta 或 hfe – 我们在三极管厂商规格书中经常会看到beta 或 hfe，你可不要混淆，因为它们都指的是晶体管的电流增益，也就是ic与ib的比率，beta 和 hfe是可以互换使用的：beta=hfe = i c / i b;
vbe – 基极对地电压减去发射极对地电压 (vb – ve)；
vce – 集电极对地电压减去发射极对地电压 (vc – ve)；
vbc – 相对于地的基极电压减去相对于地的集电极电压 (vb –vc)；
veb – 发射极对地电压减去基极对地电压 (ve – vb)；
vec – 发射极对地电压减去集电极对地电压 (ve – vc)；
vcb – 集电极对地电压减去基极对地电压 (vc – vb)；
对于双极结型晶体管 (bjt)，最大电流是发射极电流 (i e )，其次是集电极电流 (i c )，然后是基极电流 (i b )。i e只是 i c和 i b的总和：ie = ic + ib，一般来说基极电流比较小，所以集电极电流近似等于发射极电流。
2.三极管的三种工作区域以及电路配置
a.放大区；
b.饱和区；
c.截止区；
下图中的灰色阴影部分是放大区，浅蓝色阴影是截止区，而橙色阴影区是饱和区域。在放大区，npn 晶体管的工作特性是根据直流负载线来定义的，npn 的集电极电流跟随基极电流线性变化，q 点只是说明 npn 运行在直流负载线上的哪个位置。在放大区，基极电流的增加将导致集电极电流的相应增加，如下面的方程式所述：
在饱和区，ic或集电极电流最大。在这个区域，基极电流的增加都不会对集电极电流产生更多影响。因此，方程i c = β xi b不再有效。在截止区，没有集电极电流和基极电流。在这个区域，npn 晶体管处于关闭状态，在该区域中，vce 等于集电极电源电压。
为了保证三极管电路正常工作，我们需要注意以下事项，三极管集电极电源电压(vcc)不得超过允许的vce 电压（正电压）（晶体管规格书中提供了允许最大 vce 电压，其符号为vceo：开路集电极-发射极电压），基极偏置电压必须大于 vbe 要求导通电压，基极串联电阻可以设置基极电流，发射极电阻可以设置发射极电压和电流，集电极电阻可以设置集电极电压和电流。
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