贝茵凯“第七代大功率IGBT产品”12英寸晶圆已成功下线
据当地消息人士称，北京贝茵凯微电子有限公司（以下简称贝茵凯）今年8月中旬成功开发出“第7代高性能igbt”，将在12英寸晶片上上市。
贝茵凯成立于2022年5月，位于北京ic研究开发及总部基地，致力于先进功率器件的设计、开发、制造和相关产品的集成。核心产品是1.6美光fitch igbt第7代高性能硅芯片和mosfet硅电石芯片。贝茵凯创始组在电力半导体领域拥有多年的经验和丰富的研究开发技术及产业资源。
据了解，贝茵凯的“第七代高性能igbt产品——12英寸晶片”采用先进技术，对传统的igbt制造工程进行了优化和改善，结构进行了创新和调整。贝茵凯以汽车规格级芯片标准开发的大型芯片与现有处理器开发的芯片相比，可靠性提高了30%以上，适合各种恶劣的工作状况。在产业用应用领域也可以使用信赖性更高的车规级芯片。
12英寸晶片的面积约为8英寸晶片的2.25倍。这意味着12英寸晶片的容量将达到8英寸晶片的2.25倍。这样，生产同样工艺的芯片，12英寸晶片的利润就会更高。
另外，第7代igbt采用了“微沟槽栅+场截止沟道”结构，优化了更高的电力密度、细胞间间隔和寄生虫容量变量，在5kv/us中具有最佳开关性能，并在175超负荷结着温度下可控制dv/dt。第7代igbt vce （sat）比igbt4低20%，可实现最高175的过渡状态接合温度。
新能源汽车产业成为中国国民经济运行的亮点。今年中国新能源汽车产业实现了“飞速发展”。1月至7月，新能源汽车产销累计459.1万辆和452.6万辆，同比分别增长40%和41.7%。此外，以风力、太阳能、能源储存为代表的新型能源产业也占据世界领先地位。上述产业的飞跃发展，引发了对大功率，高可靠性igbt芯片的大量需求。
熟识的人的内部情况据介绍，贝茵凯是这次1200v 200a斯特里默用igbt产品进入了批量生产的阶段，多家大型客户样品进行了测试，反馈非常好，电力行业和能源存储行业龙头企业获得的订单。”另外，独立开发的第7代1700v igbt芯片和1700v硅电石mosfet芯片也已准备好串流。贝恩凯独自开发的第7代igbt芯片能够切实满足新能源业界对高功率、高信赖性igbt芯片的迫切需要。
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12英寸晶片的面积约为8英寸晶片的2.25倍。这意味着12英寸晶片的容量将达到8英寸晶片的2.25倍。这样，生产同样工艺的芯片，12英寸晶片的利润就会更高。
另外，第7代igbt采用了“微沟槽栅+场截止沟道”结构，优化了更高的电力密度、细胞间间隔和寄生虫容量变量，在5kv/us中具有最佳开关性能，并在175超负荷结着温度下可控制dv/dt。第7代igbt vce （sat）比igbt4低20%，可实现最高175的过渡状态接合温度。
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