igbt工作原理及应用
igbt工作原理及应用
绝缘栅双极型晶体管（igbt）的保护
引言
绝缘栅双极型晶体管igbt是由mosfet和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为mosfet,输出极为pnp晶体管,因此,可以把其看作是mos输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点,既具有mosfet器件驱动简单和快速的优点,又具有双极型器件容量大的优点,因而,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。
在中大功率的开关电源装置中,igbt由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量较大的特点,已逐步取代晶闸管或gto。但是在开关电源装置中,由于它工作在高频与高电压、大电流的条件下,使得它容易损坏,另外,电源作为系统的前级,由于受电网波动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大,故igbt的可靠性直接关系到电源的可靠性。因而,在选择igbt时除了要作降额考虑外,对igbt的保护设计也是电源设计时需要重点考虑的一个环节。
1 igbt的工作原理
igbt的等效电路如图1所示。由图1可知,若在igbt的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则mosfet导通,这样pnp晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若igbt的栅极和发射极之间电压为0v,则mosfet截止,切断pnp晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止
由此可知,igbt的安全可靠与否主要由以下因素决定：
——igbt栅极与发射极之间的电压;
——igbt集电极与发射极之间的电压;
——流过igbt集电极－发射极的电流;
——igbt的结温。
如果igbt栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则igbt不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极－发射极之间的耐压则igbt可能永久性损坏;同样,如果加在igbt集电极与发射极允许的电压超过集电极－发射极之间的耐压,流过igbt集电极－发射极的电流超过集电极－发射极允许的最大电流,igbt的结温超过其结温的允许值,igbt都可能会永久性损坏。
2 保护措施
在进行电路设计时,应针对影响igbt可靠性的因素,有的放矢地采取相应的保护措施。
2．1 igbt栅极的保护
igbt的栅极－发射极驱动电压vge的保证值为±20v,如果在它的栅极与发射极之间加上超出保证值的电压,则可能会损坏igbt,因此,在igbt的驱动电路中应当设置栅压限幅电路。另外,若igbt的栅极与发射极间开路,而在其集电极与发射极之间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于栅极与集电极和发射极之间寄生电容的存在,使得栅极电位升高,集电极－发射极有电流流过。这时若集电极和发射极间处于高压状态时,可能会使igbt发热甚至损坏。如果设备在运输或振动过程中使得栅极回路断开,在不被察觉的情况下给主电路加上电压,则igbt就可能会损坏。为防止此类情况发生,应在igbt的栅极与发射极间并接一只几十kω的电阻,此电阻应尽量靠近栅极与发射极。如图2所示。
由于igbt是功率mosfet和pnp双极晶体管的复合体,特别是其栅极为mos结构,因此除了上述应有的保护之外,就像其他mos结构器件一样,igbt对于静电压也是十分敏感的,故而对igbt进行装配焊接作业时也必须注意以下事项：
——在需要用手接触igbt前,应先将人体上的静电放电后再进行操作,并尽量不要接触模块的驱动端子部分,必须接触时要保证此时人体上所带的静电已全部放掉;
——在焊接作业时,为了防止静电可能损坏igbt,焊机一定要可靠地接地。igbt在不间断电源的应用.
2．2 集电极与发射极间的过压保护
过电压的产生主要有两种情况,一种是施加到igbt集电极－发射极间的直流电压过高,另一种为集电极－发射极上的浪涌电压过高。
2.2.1 直流过电压
直流过压产生的原因是由于输入交流电源或igbt的前一级输入发生异常所致。解决的办法是在选取igbt时,进行降额设计;另外,可在检测出这一过压时分断igbt的输入,保证igbt的安全。
2.2.2 浪涌电压的保护
因为电路中分布电感的存在,加之igbt的开关速度较高,当igbt关断时及与之并接的反向恢复二极管逆向恢复时,就会产生很大的浪涌电压ldi/dt,威胁igbt的安全。
通常igbt的浪涌电压波形如图3所示。
图中：vce为igbt?电极－发射极间的电压波形;
ic为igbt的集电极电流;
ud为输入igbt的直流电压;
vcesp=ud＋ldic/dt,为浪涌电压峰值。
如果vcesp超出igbt的集电极－发射极间耐压值vces,就可能损坏igbt。解决的办法主要有：
——在选取igbt时考虑设计裕量;
——在电路设计时调整igbt驱动电路的rg,使di/dt尽可能小;
——尽量将电解电容靠近igbt安装,以减小分布电感;
——根据情况加装缓冲保护电路,旁路高频浪涌电压。
由于缓冲保护电路对igbt的安全工作起着很重要的作用,在此将缓冲保护电路的类型和特点作一介绍。
—c缓冲电路如图4(a)所示,采用薄膜电容,靠近igbt安装,其特点是电路简单,其缺点是由分布电感及缓冲电容构成lc谐振电路,易产生电压振荡,而且igbt开通时集电极电流较大。
——rc缓冲电路如图4(b)所示,其特点是适合于斩波电路,但在使用大容量igbt时,必须使缓冲电阻值增大,否则,开通时集电极电流过大,使igbt功能受到一定限制。
——rcd缓冲电路如图4(c)所示,与rc缓冲电路相比其特点是,增加了缓冲二极管从而使缓冲电阻增大,避开了开通时igbt功能受阻的问题。
该缓冲电路中缓冲电阻产生的损耗为
p=li2f＋cud2f式中：l为主电路中的分布电感;
i为igbt关断时的集电极电流;
f为igbt的开关频率;
c为缓冲电容;
ud为直流电压值。
——放电阻止型缓冲电路如图4(d)所示,与rcd缓冲电路相比其特点是,产生的损耗小,适合于高频开关。
在该缓冲电路中缓冲电阻上产生的损耗为
p=1/2li2f+1/2cuf
根据实际情况选取适当的缓冲保护电路,抑制关断浪涌电压。在进行装配时,要尽量降低主电路和缓冲电路的分布电感,接线越短越粗越好。
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引言
绝缘栅双极型晶体管igbt是由mosfet和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为mosfet,输出极为pnp晶体管,因此,可以把其看作是mos输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点,既具有mosfet器件驱动简单和快速的优点,又具有双极型器件容量大的优点,因而,在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用。
在中大功率的开关电源装置中,igbt由于其控制驱动电路简单、工作频率较高、容量较大的特点,已逐步取代晶闸管或gto。但是在开关电源装置中,由于它工作在高频与高电压、大电流的条件下,使得它容易损坏,另外,电源作为系统的前级,由于受电网波动、雷击等原因的影响使得它所承受的应力更大,故igbt的可靠性直接关系到电源的可靠性。因而,在选择igbt时除了要作降额考虑外,对igbt的保护设计也是电源设计时需要重点考虑的一个环节。
1 igbt的工作原理
igbt的等效电路如图1所示。由图1可知,若在igbt的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则mosfet导通,这样pnp晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若igbt的栅极和发射极之间电压为0v,则mosfet截止,切断pnp晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止
由此可知,igbt的安全可靠与否主要由以下因素决定：
——igbt栅极与发射极之间的电压;
——igbt集电极与发射极之间的电压;
——流过igbt集电极－发射极的电流;
——igbt的结温。
如果igbt栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低,则igbt不能稳定正常地工作,如果过高超过栅极－发射极之间的耐压则igbt可能永久性损坏;同样,如果加在igbt集电极与发射极允许的电压超过集电极－发射极之间的耐压,流过igbt集电极－发射极的电流超过集电极－发射极允许的最大电流,igbt的结温超过其结温的允许值,igbt都可能会永久性损坏。
2 保护措施
在进行电路设计时,应针对影响igbt可靠性的因素,有的放矢地采取相应的保护措施。
2．1 igbt栅极的保护
igbt的栅极－发射极驱动电压vge的保证值为±20v,如果在它的栅极与发射极之间加上超出保证值的电压,则可能会损坏igbt,因此,在igbt的驱动电路中应当设置栅压限幅电路。另外,若igbt的栅极与发射极间开路,而在其集电极与发射极之间加上电压,则随着集电极电位的变化,由于栅极与集电极和发射极之间寄生电容的存在,使得栅极电位升高,集电极－发射极有电流流过。这时若集电极和发射极间处于高压状态时,可能会使igbt发热甚至损坏。如果设备在运输或振动过程中使得栅极回路断开,在不被察觉的情况下给主电路加上电压,则igbt就可能会损坏。为防止此类情况发生,应在igbt的栅极与发射极间并接一只几十kω的电阻,此电阻应尽量靠近栅极与发射极。如图2所示。
由于igbt是功率mosfet和pnp双极晶体管的复合体,特别是其栅极为mos结构,因此除了上述应有的保护之外,就像其他mos结构器件一样,igbt对于静电压也是十分敏感的,故而对igbt进行装配焊接作业时也必须注意以下事项：
——在需要用手接触igbt前,应先将人体上的静电放电后再进行操作,并尽量不要接触模块的驱动端子部分,必须接触时要保证此时人体上所带的静电已全部放掉;
——在焊接作业时,为了防止静电可能损坏igbt,焊机一定要可靠地接地。igbt在不间断电源的应用.
2．2 集电极与发射极间的过压保护
过电压的产生主要有两种情况,一种是施加到igbt集电极－发射极间的直流电压过高,另一种为集电极－发射极上的浪涌电压过高。
2.2.1 直流过电压
直流过压产生的原因是由于输入交流电源或igbt的前一级输入发生异常所致。解决的办法是在选取igbt时,进行降额设计;另外,可在检测出这一过压时分断igbt的输入,保证igbt的安全。
2.2.2 浪涌电压的保护
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通常igbt的浪涌电压波形如图3所示。
图中：vce为igbt?电极－发射极间的电压波形;
ic为igbt的集电极电流;
ud为输入igbt的直流电压;
vcesp=ud＋ldic/dt,为浪涌电压峰值。
如果vcesp超出igbt的集电极－发射极间耐压值vces,就可能损坏igbt。解决的办法主要有：
——在选取igbt时考虑设计裕量;
——在电路设计时调整igbt驱动电路的rg,使di/dt尽可能小;
——尽量将电解电容靠近igbt安装,以减小分布电感;
——根据情况加装缓冲保护电路,旁路高频浪涌电压。
由于缓冲保护电路对igbt的安全工作起着很重要的作用,在此将缓冲保护电路的类型和特点作一介绍。
—c缓冲电路如图4(a)所示,采用薄膜电容,靠近igbt安装,其特点是电路简单,其缺点是由分布电感及缓冲电容构成lc谐振电路,易产生电压振荡,而且igbt开通时集电极电流较大。
——rc缓冲电路如图4(b)所示,其特点是适合于斩波电路,但在使用大容量igbt时,必须使缓冲电阻值增大,否则,开通时集电极电流过大,使igbt功能受到一定限制。
——rcd缓冲电路如图4(c)所示,与rc缓冲电路相比其特点是,增加了缓冲二极管从而使缓冲电阻增大,避开了开通时igbt功能受阻的问题。
该缓冲电路中缓冲电阻产生的损耗为
p=li2f＋cud2f式中：l为主电路中的分布电感;
i为igbt关断时的集电极电流;
f为igbt的开关频率;
c为缓冲电容;
ud为直流电压值。
——放电阻止型缓冲电路如图4(d)所示,与rcd缓冲电路相比其特点是,产生的损耗小,适合于高频开关。
在该缓冲电路中缓冲电阻上产生的损耗为
p=1/2li2f+1/2cuf
根据实际情况选取适当的缓冲保护电路,抑制关断浪涌电压。在进行装配时,要尽量降低主电路和缓冲电路的分布电感,接线越短越粗越好。
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