IGBT是干嘛的_igbt损坏现象
igbt是干嘛的
igbt中文翻译为：绝缘栅双极型晶体管。是一种复合全控型电压驱动式功率半导体器件，由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成，兼具了这二者的优点：高输入阻抗和低导通压降，也就是“驱动功率小而饱和压降低”。这样的优点使igbt非常适合应用于直流电压为600v及以上的变流系统中。
igbt作为一种全控器件，因其驱动相对简单、开关速度快、功率密度高而广泛应用于柔性dc换流阀中。它是构成阀门子模块的主要动力装置。
igbt的应用领域
1、手机
现在许多厂商提供性能和尺寸各异的变换器类型，以低损耗和高开关频率而著称的新igbt技术成为他们的不二选择。
在标准模块中使用新igbt技术使用户可以因不必改变其机械设计概念而获益，基于平台技术的标准模块，因为针对igbt和二极管采用了不同的半导体技术，所以变得适合于多种应用场合。简单来说，用户开始有了更多可供选择的供应商。
2、新能源汽车
igbt模块是由绝缘栅双极型晶体管芯片与续流二极管芯片，通过特定电路，桥接封装最终组合而成的模块化半导体产品。而对电动汽车最重要的也就是这个“igbt模块”，它是电动汽车及充电桩等设备的核心技术部件。
3、智能电网
igbt广泛应用于智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端：
（1）发电端：整流器和逆变器都需要使用igbt模块，例如风力发电、光伏发电等。
（2）输电端：特高压直流输电中facts柔性输电技术需要大量使用igbt等功率器件。
（3）变电端：igbt是pet的关键器件。
（4）用电端：家用led照明驱动、微波炉等都需要使用到igbt。
4、轨道交通
igbt是牵引变流器核心的器件之一，而“牵引变流器”则是现代轨道交通核心技术“交流传动技术”中的关键部件。因此，igbt器件成为了轨道交通车辆牵引变流器和各种辅助变流器的主流电力电子器件。
5、相机
便携式照相机的闪光灯一般应用了igbt。因为闪光灯电路中的igbt在短时间内导要通过100a左右的大电流，要求器件的额定电流ic（tc=100℃）达130a，而igbt中又有多种型号都可以满足这一条件，所以igbt自然就成为了不二选择。
igbt损坏现象
1、过热容易损坏集电极，电流过大引起的瞬时过热及其主要原因，是因散热不良导致的持续过热均会使igbt损坏。如果器件持续短路 ，大电流产生的功耗将引起温升，由于芯片的热容量小，其温度迅速上升，若芯片温度超过硅本征温度，器件将失去阻断能力，栅极控制就无法保护，从而导致igbt失效。实际应用时，一般最高允许的工作温度为125℃左右。
2、超出关断安全工作区引起擎住效应而损坏。擎住效应分静态擎住效应和动态擎住效应。igbt为pnpn 4层结构，因体内存在一个寄生晶闸管，当集电极电流增大到一定程度时，则能使寄生晶闸管导通，门极失去控制作用，形成自锁现象，这就是所谓的静态擎住效应。igbt发生擎住效应后，集电极电流增大，产生过高功耗，导致器件失效。动态擎住效应主要是在器件高速关断时电流下降太快，dvce/dt很大，引起较大位移电流，也能造成寄生晶闸管自锁。
3、瞬态过电流igbt在运行过程中所承受的大幅值过电流除短路、直通等故障外，还有续流二极管的反向恢复电流、缓冲电容器的放电电流及噪声干扰造成的尖峰电流。这种瞬态过电流虽然持续时间较短，但如果不采取措施，将增加igbt的负担，也可能会导致igbt失效 。
4、过电压造成集电极、发射极击穿或造成栅极、发射极击穿。
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igbt作为一种全控器件，因其驱动相对简单、开关速度快、功率密度高而广泛应用于柔性dc换流阀中。它是构成阀门子模块的主要动力装置。
igbt的应用领域
1、手机
现在许多厂商提供性能和尺寸各异的变换器类型，以低损耗和高开关频率而著称的新igbt技术成为他们的不二选择。
在标准模块中使用新igbt技术使用户可以因不必改变其机械设计概念而获益，基于平台技术的标准模块，因为针对igbt和二极管采用了不同的半导体技术，所以变得适合于多种应用场合。简单来说，用户开始有了更多可供选择的供应商。
2、新能源汽车
igbt模块是由绝缘栅双极型晶体管芯片与续流二极管芯片，通过特定电路，桥接封装最终组合而成的模块化半导体产品。而对电动汽车最重要的也就是这个“igbt模块”，它是电动汽车及充电桩等设备的核心技术部件。
3、智能电网
igbt广泛应用于智能电网的发电端、输电端、变电端及用电端：
（1）发电端：整流器和逆变器都需要使用igbt模块，例如风力发电、光伏发电等。
（2）输电端：特高压直流输电中facts柔性输电技术需要大量使用igbt等功率器件。
（3）变电端：igbt是pet的关键器件。
（4）用电端：家用led照明驱动、微波炉等都需要使用到igbt。
4、轨道交通
igbt是牵引变流器核心的器件之一，而“牵引变流器”则是现代轨道交通核心技术“交流传动技术”中的关键部件。因此，igbt器件成为了轨道交通车辆牵引变流器和各种辅助变流器的主流电力电子器件。
5、相机
便携式照相机的闪光灯一般应用了igbt。因为闪光灯电路中的igbt在短时间内导要通过100a左右的大电流，要求器件的额定电流ic（tc=100℃）达130a，而igbt中又有多种型号都可以满足这一条件，所以igbt自然就成为了不二选择。
igbt损坏现象
1、过热容易损坏集电极，电流过大引起的瞬时过热及其主要原因，是因散热不良导致的持续过热均会使igbt损坏。如果器件持续短路 ，大电流产生的功耗将引起温升，由于芯片的热容量小，其温度迅速上升，若芯片温度超过硅本征温度，器件将失去阻断能力，栅极控制就无法保护，从而导致igbt失效。实际应用时，一般最高允许的工作温度为125℃左右。
2、超出关断安全工作区引起擎住效应而损坏。擎住效应分静态擎住效应和动态擎住效应。igbt为pnpn 4层结构，因体内存在一个寄生晶闸管，当集电极电流增大到一定程度时，则能使寄生晶闸管导通，门极失去控制作用，形成自锁现象，这就是所谓的静态擎住效应。igbt发生擎住效应后，集电极电流增大，产生过高功耗，导致器件失效。动态擎住效应主要是在器件高速关断时电流下降太快，dvce/dt很大，引起较大位移电流，也能造成寄生晶闸管自锁。
3、瞬态过电流igbt在运行过程中所承受的大幅值过电流除短路、直通等故障外，还有续流二极管的反向恢复电流、缓冲电容器的放电电流及噪声干扰造成的尖峰电流。这种瞬态过电流虽然持续时间较短，但如果不采取措施，将增加igbt的负担，也可能会导致igbt失效 。
4、过电压造成集电极、发射极击穿或造成栅极、发射极击穿。
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