浅谈结型场效应晶体管 (JFET) 的特性
结型场效应晶体管的沟道由 n 型半导体或 p 型半导体材料组成，栅极由相反的半导体类型制成。n 沟道掺杂有施主杂质，其中通过沟道的电流以电子的形式为负。p 沟道掺杂受主杂质，其中电流以空穴的形式流动为正。由于与空穴相比，电子通过导体具有更高的迁移率，因此 n 沟道 jfet 与其等效的 p 沟道类型相比具有更高的沟道导电性。
jfet的结构
输入阻抗非常高，因为栅极结是反向偏置的，并且没有少数载流子对流经器件的贡献。来自 n 沟道的电荷载流子耗尽用作 jfet 的控制元件。当栅极变得更负时，来自栅极周围较大耗尽区的多数载流子被耗尽。对于给定的源漏电压值，这会减少电流。
常用jfet的特点：
快速切换 对于低频操作，源漏可以互换 控制漏极电流的栅极电压 单个多数载波 体积小 高“z”输入 结构与功能
fet 可以通过多种方式制造。重掺杂衬底通常用作硅器件的第二栅极。使用外延或通过将杂质扩散到衬底中或通过离子注入，可以生长有源n型区。漏极和源极之间的距离很重要，无论 fet 使用什么材料，都应保持最小距离。
该jfet被掺杂以含有正或负电荷载体的丰富，因为它是半导体材料的长通道。为了在界面处出现 pn 结，栅极端子的掺杂应该与围绕它的沟道的掺杂相反。电荷通过 jfet 的流动是通过收缩载流通道来控制的，而花园软管则是通过挤压它来控制水流以减小横截面。
n沟道和p沟道jfet的原理图符号如下所示。p 沟道 jfet 的工作方式与 n 沟道相同，但有以下例外：
– 偏置电压的极性需要反转 – 由于空穴，通道电流为正
jfet 的示意图符号
下面显示的 jfet 横截面图像是一个适当偏置的 jfet，其中栅极是反向的，并构成到源极到漏极半导体板的二极管结。如果在源极和漏极之间施加电压，由于掺杂，n 型条将在任一方向导电。反向偏置的程度控制导通。施加适度的反向偏压可以增加耗尽区的厚度。通过使沟道变窄，增加了源漏沟道的电阻。对于低电平漏电池电压，源漏电流可以在任一方向流动，因为源漏是可以互换的。
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