北方华创公开“刻蚀方法和半导体工艺设备”相关专利
天眼查发布的最新数据显示，近期北方华创科技集团股份有限公司成功申请并获得多项专利信息。其中引人注目的一项名为“一种含硅有机介电层的刻蚀方法和半导体工艺设备”的专利，其公开号为cn117174582a。
该专利详细阐述了一种针对含硅有机介电层的高效刻蚀方法及相应的半导体工艺设备。它主要涉及到通过交替运用至少两个刻蚀步骤来刻蚀含硅有机介电层。这两个步骤分别为第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤。在第一刻蚀步骤中，使用的刻蚀气体至少包含氧气；而在第二刻蚀步骤中，则需要将含氧气体和含氟气体混合使用。这种巧妙的设计使我们能够通过交替执行这两个步骤，灵活地调整含氧气体和含氟气体的气体比例，从而控制和影响含硅有机介电层中各种不同元素的刻蚀速度，进一步降低含硅有机介电层中可能形成的沟槽或者通孔底部的微小凹点和突起等问题，进而使沟槽或通孔底部呈现出平滑的表面形状，有效防止了沟槽或通孔底部聚集过多的电场应力，从而确保了电子器件性能的稳定性。
根据权威消息来源，北方华创在半导体工艺装备研发领域取得了显著成果，其产品涵盖了例如刻蚀、薄膜、清洗、热处理、晶体生长等关键工艺环节，广泛应用于逻辑器件、存储器件、先进封装、第三代半导体、半导体照明、微机电系统、新型显示、新能源光伏、衬底材料等相关制造业的生产流程中。
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该专利详细阐述了一种针对含硅有机介电层的高效刻蚀方法及相应的半导体工艺设备。它主要涉及到通过交替运用至少两个刻蚀步骤来刻蚀含硅有机介电层。这两个步骤分别为第一刻蚀步骤和第二刻蚀步骤。在第一刻蚀步骤中，使用的刻蚀气体至少包含氧气；而在第二刻蚀步骤中，则需要将含氧气体和含氟气体混合使用。这种巧妙的设计使我们能够通过交替执行这两个步骤，灵活地调整含氧气体和含氟气体的气体比例，从而控制和影响含硅有机介电层中各种不同元素的刻蚀速度，进一步降低含硅有机介电层中可能形成的沟槽或者通孔底部的微小凹点和突起等问题，进而使沟槽或通孔底部呈现出平滑的表面形状，有效防止了沟槽或通孔底部聚集过多的电场应力，从而确保了电子器件性能的稳定性。
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