FinFET到GAA：先进制程，先要“支棱起来”
我们都知道：
“两点之间线段最短”、
“走直线，少走弯路”。
然而在芯片界，有时路线却不是越短越好。
人类对便携性的追求，让电子产品越做越小，
内部的电子部分的确是“越来越短”。
比如最初的电脑是个巨无霸，
它有18000个电子管，
占地足足170平方，重达30吨，
这样的电脑可不是随随便便就可以拥有的。
为了让人人都能用上电脑，
体积小、功耗低、更稳定的晶体管
取代了电子管，
集成电路也随之应运而生。
有了晶体管和集成电路，
电路的规模越来越大，
体积却能够越做越小。
开山之石──mosfet
1960s，mosfet晶体管诞生了，
译为“金属氧化物半导体场效应晶体管”。
它可以看作是一种平面结构的晶体管，
由三个区域组成：
源极（s）、漏极（d）和栅极（g）
mosfet的工作原理很简单，
栅极类似于一个控制电压的闸门，
若给栅极g施加电压，闸门打开，
电流就能从源极s通向漏极d；
撤掉栅极上的电压，闸门关上，
电流就无法流过s/d极间的通道。
一个比较传统的mosfet长度大概100纳米，
那怎么理解这个长度呢？
我们的头发丝直径大约0.1毫米，
已经是mosfet的1000倍了。
横空出世──finfet
随着元件尺寸缩小，栅极的长度也越做越短，
当制程小于20nm时，麻烦出现了：
mosfet的栅极难以关闭电流通道，
躁动的电子无法被阻拦，
漏电现象屡屡出现，功耗也随之变高。
为了减少漏电，
胡正明教授发明了晶体管的立体结构，
他将电流通道做成很薄的竖片，
将其三面都用栅极包夹起来，
控制通道关闭的效率就高多了。
这种结构长得很像鲨鱼背鳍（fin），
因此也被称为finfet晶体管。
finfet技术一路披荆斩棘，
成为了先进制造市场上的先锋。
但当制造工艺微缩到3nm时，
漏电“魔咒”又hold不住了。
闪耀新星──gaa
既然三面包夹还在漏电，
那就四面统统包起来试试！
gate-all-around a.k.a gaa（全环绕栅）
是finfet技术的终极进化版。
通过堆叠多个水平的纳米线，
让栅极包裹无死角，
精确控制电流通道，打破漏电“魔咒”。
由于gaa与finfet技术相似度很高，
厂商在3nm制成工艺上选择了不同的道路。
三星选择直接上马gaa技术，
而台积公司则试图深度改进finfet。
2nm制程上巨头们同归殊途，
不约而同都选择了gaa，
看来，未来能够接棒finfet，
提升至下一代技术的非gaa莫属。
此外，三星设计出另一种gaa形式──
mbcfet（多桥-通道场效应管）。
多层纳米片替代了gaa中的纳米线，
更大宽度的片状结构增加了接触面，
在保留了所有原有优点的同时，
还实现了复杂度最小化。
新思科技和代工厂长期紧密合作，
通过dtco
（design technology co-optimization）
创新协同优化finfet，
提供面向finfet/gaa工艺技术的解决方案，
并积极支持更先进的新型晶体管工艺，
携手推进半导体产业持续开拓未来。
原文标题：finfet到gaa：先进制程，先要“支棱起来”
文章出处：【微信公众号：新思科技】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
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取代了电子管，
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有了晶体管和集成电路，
电路的规模越来越大，
体积却能够越做越小。
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源极（s）、漏极（d）和栅极（g）
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让栅极包裹无死角，
精确控制电流通道，打破漏电“魔咒”。
由于gaa与finfet技术相似度很高，
厂商在3nm制成工艺上选择了不同的道路。
三星选择直接上马gaa技术，
而台积公司则试图深度改进finfet。
2nm制程上巨头们同归殊途，
不约而同都选择了gaa，
看来，未来能够接棒finfet，
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此外，三星设计出另一种gaa形式──
mbcfet（多桥-通道场效应管）。
多层纳米片替代了gaa中的纳米线，
更大宽度的片状结构增加了接触面，
在保留了所有原有优点的同时，
还实现了复杂度最小化。
新思科技和代工厂长期紧密合作，
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（design technology co-optimization）
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提供面向finfet/gaa工艺技术的解决方案，
并积极支持更先进的新型晶体管工艺，
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