三星披露下一代HBM3E内存性能
在加州圣何塞举办的年度存储技术大会上，三星披露了下一代hbm3e的情况，相比现有hbm3在容量、频率、带宽方面都有了巨大的提升。
三星hbm3e内存采用基于euv极紫外光刻工艺的第四代10nm级工艺制造，确切地说是14nm。
单die容量可达24gb，8颗堆叠就是24gb，12颗堆叠就是36gb，相比hbm3增加了一半。
等效频率可达9.8ghz，同样提升一半，领先sk海力士的9ghz、美光的9.2ghz，单颗芯片的带宽可以做到1-1.1225tb/s。
对于nvidia h100这样的计算卡，六颗hbm3e可以组成单卡216gb的海量内存，总带宽高达7.35tb/s。
能效方面，三星宣称可以提升10％，但显然会被25％的频率提升所抵消掉。
考虑到三星刚刚量产hbm3，新一代的hbm3e将在明年的某个时候量产，而出货可能要到明年底了。
正因为如此，nvidia下一代计算卡b100将独家使用sk海力士的hbm3e，三星至少第一批赶不上了。
在三星的规划中，下一代hbm4将有两个发展方向，使用更先进的晶体管工艺和更高级的封装技术。
工艺方面，三星计划在hbm上放弃传统的平面晶体管，改用finfet立体晶体管，从而降低所需的驱动电流，改善能效。
finfet立体晶体管技术是intel 22nm率先引用的，这些年一直是半导体制造工艺的根基，接下来在intel 20a、台积电2nm、三星3nm上，都将转向全环绕立体栅极晶体管。
封装方面，三星计划从微凸点键合转向无凸点键合(bumpless bongding)，将铜层与铜层直接互连。
事实上，这在逻辑芯片领域也是相当先进的技术，仍在研发之中。
显然，这些都有助于hbm内存继续扩大容量、提升频率和带宽，但成本也将居高不下，注定它不会和普通用户产生多大关联，依然是hpc、ai领域的专属。
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