PD快充必须要知道的几种方案
前言本文以龙腾mos管为基础，分享几种pd快充目前最常用最有效的几种拓部结构，与应用方式。
可以帮助到大家更全面的了解pd 快充的原理以及应用技巧。
一、快充技术背景以及趋势1.pd快充背景介绍 随着智能电子产品的高速发展，显示越加清晰，像素越来越高，处理器运行速度和内存性能不断提高，这就要求其电池容量更大、能量密度更大、产品小型化、轻量化，最典型的就是手机、平板、笔记本。手机电池的容量基本都达到5000mah，如此大的容量，对充电速度提出了更高的要求。
2.遵循的原理-俩大技术路径遵循的原理 是最基本的 p = u × i，快充的两条技术路径如下：
1. 高压小电流：优点是线损小，缺 点是手机端需降压，手机发热严重（仅在黑屏下快充）。
2. 低压大电流：优点是手机端损耗小，可边玩边快充，缺点是线损大，需要改进充电线材及端口。
3.usb type c的演变
4.usb充电器产品类型5.usb充电器接口二、pd快充充电器调研
三、pd快充拓扑图以及龙腾对应型号推荐快充充电器拓扑-1
快充充电器拓扑-2
快充充电器拓扑-3输出电压变化过程与效率
四、超结mosfet在pd中应用问题
1.辐射——emi优化器件更受欢迎；2.效率；3.在llc应用中，体二极管反向恢复问题，开关动作容易引起采样干扰；4.在acf中，会有大电流冲击，mosfet会在大电流下关断，考验器件的dv/dt能力；5.某些设计中，待机功耗较大。
五、sgt mosfet在pd中应用问题1.辐射；2.体二极管反向恢复问题，ccm下容易引起vds尖峰过高。
嘉瀚芯为龙腾mos管一级代理服务商。
我们有提供了大量方案产品，欢迎联系，感谢您的关注。
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