数字晶体管工作原理
数字晶体管（digital transistor）与普通晶体管差别不大，并没有采用任何数字技术，仅仅内置了一个或两个偏压电阻，即所谓的偏压型晶体管（bias resistor transistor）。与普通晶体管相比，数字晶体管的输入-输出呈线性关系，而且工作状况稳定。
数字晶体管（digital transistor）是一种集成了基极电阻的双极性晶体管，其工作原理类似于常规的晶体管，但其具有更高的集成性和更方便的使用方式。
数字晶体管主要由三个区域组成：基区、发射区和集电区。当在基区施加一定的电压时，会产生电流流入集电区，从而产生一个开启的状态。
与常规的晶体管相比，数字晶体管的基区具有更高的电阻和更低的反向漏电流。此外，数字晶体管还在晶体管结构上添加了一个基极电阻，方便用户控制其电流。
数字晶体管的工作原理数字晶体管的工作原理与与普通晶体管一样，如图1。在这个电路中，在npn晶体管的基极（b）-发射极（e）之间输入一个正向电压，注入基极电流。就是说，在基极（b）领域注入+空穴。
如果在基极（b）领域注入+电子，发射极（e）的载流子-会被吸引至基极（b），但是正极（b）领域非常薄，因此通过加入集电极电压，载流子可以穿越基极（b）流向集电极（c）。这样，电流就由集电极（c）→发射极（e）流动，数字晶体管就开始工作了。
数字晶体管的应用范围广泛，例如在电路中作为开关或驱动器件，以及在数字信号放大器和功率放大器中作为放大器件等。它们的优点是具有相对高的速度、高的电压容忍度和低的噪声，同时也易于进行数字电路的集成设计。
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数字晶体管的工作原理数字晶体管的工作原理与与普通晶体管一样，如图1。在这个电路中，在npn晶体管的基极（b）-发射极（e）之间输入一个正向电压，注入基极电流。就是说，在基极（b）领域注入+空穴。
如果在基极（b）领域注入+电子，发射极（e）的载流子-会被吸引至基极（b），但是正极（b）领域非常薄，因此通过加入集电极电压，载流子可以穿越基极（b）流向集电极（c）。这样，电流就由集电极（c）→发射极（e）流动，数字晶体管就开始工作了。
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