为什么高速信号ESD设置要flow-through
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防静电需求
目前的芯片工艺越来越精密，主ic都到纳米级别了，具有极薄光刻技术和极易受到esd 影响的栅极氧化物的先进技术，所以ic的防静电能力主要是保护自身在生产运输和安装过程中不受损坏。
其次具有高元件密度的pcb 的集成电子板有助于esd 耦合和传播，所以整机中esd现象时常发生。
为什么ic制造商不愿意制造强大的嵌入式esd保护二极管，因为它们需要大量先进且昂贵的技术的有效面积，防静电不同于别的芯片工艺，静电瞬间电流有数十安培，必须通过有效的芯片面积来防护，不是尖端工艺能解决的。
高速信号芯片防静电特点
esd保护器件的寄生电容必须足够低，以允许高速信号传输而不会降级。
esd保护器件的高寄生电容会增加过多的信号上升/下降时间并阻止通信，从而丢包。
下是以电容置于高速信号线对信号的影响图形。
很多人不清楚这个电容的换算，也可以参考下面的图片
如何保证线路上的寄生电容足够小，而且走线也不影响差分信号阻抗匹配?
首先要选择电容足够小的esd器件，其次是要合理布线。
在尽可能情况下，选择dfn封装的esd器件，如雷卯电子ulc0524p ulc0511cdn这类超低电容的器件。
如何看懂esd器件参数?
一般入门级只要看懂动作电压vbr，电容cj，箝位电压vc即可。
以下规格书为示例。
dfn封装技术越来越成熟，封装速度快，体积小，雷卯提供了越来越多的防静电dfn封装器件，dfn1006、dfn1610、dfn2020、dfn1616、dfn2010、 dfn2510、dfn3310 等，最多支持10路的高速信号静电保护。
获取更多教学知识
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电路保护设计之于电子工程师，要做好到底有多难？
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原文标题：为什么高速信号esd设置要flow-through
文章出处：【微信公众号：上海雷卯电子leiditech】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
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