IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件
ir)推出新系列-30 v器件，采用 ir最新的so-8封装 p 沟道 mosfet硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 p 沟道器件的导通电阻 (rds (on)) 为 4.6 mΩ至59 mΩ，可匹配广泛的功率要求。p 沟道 mosfet 无需使用电平转换或充电泵电路，使其成为系统/负载开关应用非常理想的解决方案。
产品规格
器件编号
封装
bv (v)
最大 vgs (v)
10v下的
典型 / 最大rds(on) (mΩ)
4.5v下的
典型 / 最大rds(on)
(mΩ)
so-8
-30
20
3.9 / 4.6
5.8 / 6.8
so-8
-30
20
5.4 / 6.6
8.3 / 10.2
so-8
-30
20
5.9 / 7.2
9.3 / 11.2
so-8
-30
20
10.0 / 11.9
16.1 / 19.7
so-8
-30
20
13.6 / 17.5
22.5 / 28.1
so-8
-30
20
15.6 / 19.4
25.6 / 32.5
so-8
-30
20
48 / 59
83 / 110
so-8 (dual)
-30
20
17.0 /21.0
25.7 / 32
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20
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