★★★ cap-1---电容的模型参数 ★★★
引言:电容器是与电阻、线圈并存的三大被动元器件之一。不仅在电气或电子电路中会使用电容器,而且如果没有电容器电路就不会正常工作。这在智能手机和iot设备、服务器和网络、以及无线通信系统之类的尖端设备上也是一样的。此外,电容器的性能会对各种电子设备的性能产生影响,因而已成为非常重要的元器件。
€1.电容的结构原理
简而言之,电容器是能够储蓄电能,并可在必要的时候放电的元器件。可蓄积起来的电能(电荷)与电池相比较少,因而在放出电荷(放电)时只能在短时间内供给电流,但是可反复进行充电(电荷的蓄积)和放电。
这里列出电容器的结构示意 图1-1 。将绝缘体(电介质)平行地夹在金属板(电极)之间而构成的就是电容器。如果向该金属板(电极)间施加直流电压,就可将电荷蓄积起来。这就是电容器的蓄电原理。被蓄积起来的电荷量叫做静电电容,静电电容c是由绝缘体的介电常数ε、电极的表面积s、绝缘体的厚度d来决定的。
图1-1:电容结构图
其中:
c:静电电容
ε:绝缘体的介电常数
s:电极表面积
d:绝缘体的厚度
可通过增大绝缘体的介电常数ε,增大电极的表面积s,减薄绝缘体的厚度d 来增大静电电容c。
€2.电容的等效模型
理想的电容器只含有静电电容成分,但是实际的电容器则含有电阻成分和电感成分。这些寄生成分对电容器的性能产生较大的影响。电容器的简易等效电路如图1-2所示。实际的电容器的等效电路中包含有esr(等效串联电阻)、esl(等效串联电感)。此外,理想的电容器的电极间是绝缘的,但是实际上会存在若干的漏电流。
图1-2:电容理想模型和寄生模型
表1-1对这些成分进行了归纳:
表1-1:寄生参数说明
€3.电容的参数
本小节以最为常用的陶瓷电容为例,其余品类电容会有额外章节
静电容量:
静电容量是表示电容器的蓄电能力的物理单位,以f(法拉)为单位表示。在陶瓷电容器使用的范畴里内,f单位已经过大,因此常使用µf(微法、法拉的100万分之一)、pf(皮法、法拉的1兆分之1)单位。根据使用的地方、状况的不同,基准也不同,但陶瓷电容器在1µf以上时就称为大容量,低于1000pf时称为小容量。(静电容量c的测量举例:在测量温度25℃,测量频率1.0+/-0.1khz,测量电压0.5+/-0.1vrms时测得,注:不同封装不同耐压的电容测量方式有差异,具体查看其手册描述)
温度特性(材质特性):
npo:
npo使用超稳定级的介质材料,具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器,电容量和介质损耗最稳定的电容器之一,在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3δc。npo电容的漂移或滞后小于±0.05%,npo电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。
c0g:
c0g使用超稳定级的介质材料,c0g电容器对温度不敏感,因此c0g电容是一种很常用的温度补偿电容器。其内部填充介质为多种稀有氧化物对温度不那么敏感,有一定的稳定性。这种贴片电容在-55摄氏度和+125摄氏度之间基本相当于没有变化。因此得到了广泛的应用。
x7r:
温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非线性的。x7r电容器的容量在不同的电压和频率条件下是不同的,它也随时间的变化而变化,大约每10年变化1%δc,表现为10年变化了约5%。x7r电容器主要应用于要求不高的工业应用,而且当电压变化时其容量变化是可以接受的条件下。它的主要特点是在相同的体积下电容量可以做的比较大。
z5u:
z5u电容器称为”通用”陶瓷单片电容器。这里首先需要考虑的是使用温度范围,对于z5u电容器主要的是它的小尺寸和低成本。对于上述三种陶瓷单片电容来说,在相同的体积下z5u电容器有最大的电容量。但它的电容量受环境和工作条件影响较大,它的老化率最大可达每10年下降5%。 尽管它的容量不稳定,由于它具有小体积、等效串联电感(esl)和等效串联电阻(esr)低、良好的频率响应,使其具有广泛的应用范围,尤其是在退耦电路的应用中。
y5v:
y5v电容器是一种有一定温度限制的通用电容器,在-30℃到85℃范围内其容量变化可达+22%到-82%。y5v的高介电常数允许在较小的物理尺寸下制造出高达4.7μf电容器。
小结:所以最常用的是x7r,x5r和c0g,z5u和y5v现已不多见,容值越小的都是采用c0g或者npo,比如晶振的匹配电容,射频用电容等等。其他类型x7s,x8t等等,和x7系列都相近,这里不再赘述。温度优异性:npo>c0g>x8>x7>x5>z5u>y5v。
额定电压:
电容器的额定电压是指工作在最低与最高环境温度时,可以承受连续加上的最高直流电压及最高交流电压的有效值,每个电容器标注的绝缘耐压都留有余地,一般比额定电压高1.5-2倍。因为电容值具有压降效应,比如额定电压值为10v的电容,使用在10v电压下,其容值会有衰减,可以将其使用在5v电压下,推荐工作电压为额定电压的二分之一。
€4.电容的特性
自谐振,电容具有自谐振频率(srf)的现象非常常见,因为从上述模型( 图1-2 )可以看到电容模型近似于一个串联rlc(ir很大不起什么作用忽略),对于串联rlc,一个重要的特性是阻抗。简单地说,阻抗即为交流电路中的电压与电流之比,相当于直流电路中的电阻。符号使用z,单位与电阻相同,使用ω。电容器的阻抗(z)由下面的计算过程导出:
esl部分会产生感抗:
静电电容会产生容抗:
感抗和容抗相加:
整理上式变为下式:
感容抗加上寄生电阻合并为阻抗z:
代入频率参数为:
阻抗绝对值如下:
其中:
z:阻抗(ω)
r:电阻成分esr(ω)
j:虚数
ω:ω=2πf
f:频率(hz)
l:电感成分esl(h)
c:静电电容(f)
根据此式,可推出以下信息:
在频率低的区域,阻抗几乎是由静电电容(c)来决定的。谐振频率(2πfl = 1/(2πfc))下,阻抗是由esr来决定,在自谐振频率处,电路是纯阻性的,esr成为阻抗的最小值*。*在频率高的区域,阻抗几乎是由esl来决定,如果用图形来表示这种情况,则如图1-3所示。
图1-3:电容器的阻抗特性图
如图1-3所示,静电电容c越大,越在低频区为低阻抗,esl越小,越在高频区域为低阻抗。电容器的阻抗z,在谐振频率之前呈容性下降,而在谐振频率srf处,c和esl的影响为零,只受esr的影响,过了这一点则为电感性(esl),并与频率一起增加。在将电容器用于其主要用途即噪声吸收(去耦)中时,噪声吸收效果是由阻抗来决定的,因而需要按照以下的要点来选定电容器:
噪声的频率与电容器的谐振频率接近。esr小。高频噪声时,esl小。
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