MOS场效应管的基础知识
基础知识
结型场效应管栅极反偏但仍有电流，mos场效应管栅极绝缘，没有电流。
结型场效应管（jfet）的输入电阻一般可达10e6 ～10e9 ω，这个电阻从本质上来说是pn结的反向电阻，由于pn结在反向偏置时总会有一定量的反向电流存在，这就限制了输入电阻的进一步提高。与jfet不同，mos场效应管的栅极处于不导电（绝缘）状态，它是利用半导体表面的电场效应进行工作的，也称为表面场效应器件，所以输入电阻可大为提高，最高可达10e15ω。
mos场效应管是以二氧化硅为绝缘层的金属-氧化物-半导体（metal-oxide-semiconductor）场效应管，简称为mosfet。mosfet的栅极与沟道之间由绝缘层隔离，输入电阻比jfet高得多。此外，mosfet因集成工艺简单，集成密度很大，而成为现代超大规模集成电路的主角。
mosfet有增强型（e型）和耗尽型（d型）两类，其中每一类又有n沟道和p沟道之分：
由于反型层属于电子导电型半导体层[n]，而漏区和源区也是n型半导体，因此，反型层与漏区和源区之间不再有pn结势垒，而形成导电沟道。
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