晶圆模块捆绑在一起的新型铜CMP工艺

应用材料公司今天为其mirra mesa化学机械平面化(cmp)推出了两种新的铜工艺它表示支持全系列双大马士革芯片集成方案。
mirra mesa工艺与applied的endura屏障/种子和electra机电电镀系统集成,作为捆绑的一部分 - applied正在追求的模块策略(见4月5日的故事)。应用材料公司cmp产品组副总裁兼总经理克里斯史密斯说:“这套设备让客户有机会购买预先集成的互连解决方案,帮助他们快速扩大工厂的铜制造量。”
首次快速去除铜材料后,客户可以选择非选择性或选择性工艺来抛光阻隔薄膜,这取决于他们的双大马士革整合策略,该公司表示。非选择性工艺采用新的成本效益方法去除阻挡膜,以及未加盖的介电材料,如氧化物,氟化硅酸盐玻璃(fsg)和黑钻石膜。
选择性cmp工艺旨在平坦化并保留用于封顶低k电介质应用的顶部介电层。这两种解决方案都可以简化工艺流程,无需额外的电介质抛光步骤,从而降低制造成本。
“铜cmp是芯片制造商面临的最关键挑战之一,”史密斯说。 “将我们的下一代铜工艺与mirra mesa系统的多板结构,先进的抛光头技术以及我们新的fullscan端点技术相结合,为体积铜生产创造了一种高生产率的抛光工具。”
fullscan端点技术可精确识别整个晶圆上的薄膜去除点。结合工艺顺序,这可以最大限度地减少铜布线结构的凹陷和腐蚀,创造出创建多层互连所需的平面表面形貌,smith解释道。
系统的铜工艺已经过特性测试和测试缺陷水平。该系统的mesa集成式cmp后清洗站采用超声波清洗技术和双面刷洗,有助于抵抗腐蚀,去除晶圆两侧的颗粒和浆料残留物,包括非常小的凹陷特征和难以倾斜的区域。

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