2021年6月16日,致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下世平推出基于安森美半导体(on semiconductor)ncp51820 650v hi-low side gan mos driver的小型工业电源供应器方案。
图示1-大联大世平推出基于on semiconductor产品的小型工业电源供应器方案的展示板图
氮化镓(gan)是最接近理想的半导体开关的器件,其能够以非常高的效能和高功率密度来实现电源转换。虽然gan器件的效能高于当今的硅基方案,能够轻松超过服务器和云数据中心最严格的80+规范或usb pd外部适配器的欧盟行为准则tier 2标准。但gan器件在某些方面又不如旧的硅技术,为了充分发挥该技术的潜在优势,在电路设计时,外部驱动电路必须与gan器件相匹配。
图示2-大联大世平推出基于on semiconductor产品的小型工业电源供应器方案的方块图
gan驱动器对性能至关重要,驱动器使驱动电压保持在电压最大限值内并不是唯一的要求。对于快速开关,虽然gan也有闸极电容的特性,但在闸极的有效串联电阻和驱动器中功率被耗散。因此,使电压摆幅保持最小很重要,理论上,gan器件在vgs=0安全关断,但实际上,即使是最好的门极驱动器,直接施加到门极的电压也不可能是0v。所以,优化layout是成功的关键。采用on semiconductor的ncp51820在进行layout布局时,能够匹配门驱动回路,并有助于产品微型化设计。将gan器件和驱动器置于pcb同侧,通过适当地使用接地/返回面来避免大电流通孔。
图示3-采用on semiconductor ncp51820的示例layout布局图
本方案中采用的ncp51820高速栅极驱动器可用于满足严格的驱动增强模式(e-mode),高电子迁移率晶体管(hemt)和栅极注入晶体管(git),氮化镓(gan)电源开关的要求。ncp51820通过先进的技术提供短而匹配的传播延迟,为高端驱动器提供−3.5v至+650v(典型值)共模电压范围,为低端驱动器提供−3.5v至+3.5v共模电压范围驱动能力。此外,该器件还为高速开关应用中的两个驱动器输出极提供高达200v/ns的稳定dv/dt操作。
核心技术优势:
ncp51820:提供重要的保护功能,例如独立的欠压锁定(uvlo)、监视vdd偏置电压、vddh和vddl驱动器偏置以及基于器件裸片结温的热关断功能。并且电路可主动调节驱动器的偏置轨,从而在各种工作条件下防止潜在的栅源过电压。 ncp1616:ncp1616是一款高压pfc控制器,旨在基于创新的电流控制频率折返(ccff)方法来驱动pfc升压级。在这种模式下,当电感器电流超过可程式设计值时,电路将以临界导通模式(crm)工作。当电流低于此预设水准时,ncp1616在正弦过零处将频率线性衰减至最低约26khz。ccff使额定负载和轻负载下的效率最大化。ncp1616封装在soic-9封装中,具有坚固、紧凑的pfc级所需的功能。 ncp13992:其是用于半桥谐振转换器的高性能电流模式控制器。该控制器实现600v栅极驱动器,简化了电路布局并减少了外部组件数量。在需要pfc前级的应用中,ncp13992检测pfc vbulk电压的脚位,可控制ic在特定的电压范围内工作。当电压变化超过设定,会触发brown−out保护。在空载运行期间ncp13992具有让pfc和llc共用电阻分压器的方法,共用大容量电阻分压器,进一步降低空载的功率损耗。ncp13992提供了一系列保护功能,可在任何应用中安全运。 方案规格:
输入电源:90–265v; 输出电源:19v/18amax(rms); efficiency:95%load(230vac),0%load<;150mw@230vrms。
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