华为公开“半导体器件”专利：提升场效应晶体管电流驱动能力
华为技术有限公司最近增加了多项专利信息，其中一项是“半导体器件”，公开号码为cn116868342a。
根据专利摘要，该公开是关于半导体元件及其制造方法的。半导体器件包括电装效应晶体管。电场效应晶体管包括栅极、漏极、源极和氧化物半导体沟道。漏极和源极分别位于氧化物半导体通道的两端。漏极和源极分别接触氧化物半导体通道的多个表面，增加源极和泄漏极和氧化物半导体沟道的接触面积，减少接触电阻。由于半导体器件的接触电阻降低，在相同电压下的电流会增加，从而提高差额效应晶体管的电流驱动能力和响应速度。
据了解，截至2022年底，华为拥有有效授权专利超过12万项，主要分布在中国、欧洲、美洲、亚太、中东、非洲。华为在中国和欧洲分别拥有4万多项专利，在美国拥有22000多项专利。
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据了解，截至2022年底，华为拥有有效授权专利超过12万项，主要分布在中国、欧洲、美洲、亚太、中东、非洲。华为在中国和欧洲分别拥有4万多项专利，在美国拥有22000多项专利。
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