EN系列：保持低导通电阻与开关速度，改善噪声性能
超级结mosfet是与平面mosfet相比，导通电阻和栅极电荷（qg）显著降低的mosfet。rohm的600v超级结mosfet具有高速、低噪声、高效率的特性，并已扩展为系列化产品，现已发展到第二代。非常有助于改善包括电源在内的pfc等各种功率转换电路的效率。
低噪声 en系列
以往的超级结mosfet具有导通电阻低、开关速度快的特点，但存在因其高速性而噪声较大的课题。en系列是结合了平面mosfet的低噪声特性与sj mos的低导通电阻特性的系列产品。下面是rohm第一代标准特性的an系列、其他公司同等产品及en系列的噪声特性比较图。
en系列因其保持了平面mosfet的噪声水平、且导通电阻更低，因而是改善平面mosfet的传导损耗的替代品。a・ron的比较中，与平面mosfet相比，以往产品an系列降低65%，en系列则降低达80%。
该系列的产品阵容如下。1款机型具有多种封装。
■r60xxenx系列：低噪声
.tbl_wrap th { font-size: 12px!important; background: #eee; } .tbl_wrap td { font-size: 12px!important; text-align: center; }
机型名 bvdss(v) id (a) rds(on) (ω) qg (nc) 封装
r6002enx 600 1.7 2.8 6.5 cpt/to252☆
r6004enx 4 0.9 15 cpt/to252☆/lpt/to220fm
r6007enx 7 0.57 20 to252/lpt/to220fm
r6009enx 9 0.5 23 to252/lpt/to220fm
r6011enx 11 0.34 32 to252/lpt/to220fm
r6015enx 15 0.26 40 lpt/to220fm/to3pf
r6020enx 20 0.17 60 lpt/to220fm/to3pf/to247
r6024enx 24 0.15 70 lpt/to220fm/to3pf/to247
r6030enx 30 0.115 85 lpt/to220fm/to3pf/to247
r6035enx 35 0.095 110 to3pf/to247
r6047enx 47 0.07 145 to247
r6076enx 76 0.04 260 to247
※机型名最后的x根据封装类型代入相应的字母。
d : cpt3 (d-pak), j : lpt (d2-pak), x : to220fm, z : to3pf, z1 : to247, d3 : to252
※ ☆ : 开发中
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en系列因其保持了平面mosfet的噪声水平、且导通电阻更低，因而是改善平面mosfet的传导损耗的替代品。a・ron的比较中，与平面mosfet相比，以往产品an系列降低65%，en系列则降低达80%。
该系列的产品阵容如下。1款机型具有多种封装。
■r60xxenx系列：低噪声
.tbl_wrap th { font-size: 12px!important; background: #eee; } .tbl_wrap td { font-size: 12px!important; text-align: center; }
机型名 bvdss(v) id (a) rds(on) (ω) qg (nc) 封装
r6002enx 600 1.7 2.8 6.5 cpt/to252☆
r6004enx 4 0.9 15 cpt/to252☆/lpt/to220fm
r6007enx 7 0.57 20 to252/lpt/to220fm
r6009enx 9 0.5 23 to252/lpt/to220fm
r6011enx 11 0.34 32 to252/lpt/to220fm
r6015enx 15 0.26 40 lpt/to220fm/to3pf
r6020enx 20 0.17 60 lpt/to220fm/to3pf/to247
r6024enx 24 0.15 70 lpt/to220fm/to3pf/to247
r6030enx 30 0.115 85 lpt/to220fm/to3pf/to247
r6035enx 35 0.095 110 to3pf/to247
r6047enx 47 0.07 145 to247
r6076enx 76 0.04 260 to247
※机型名最后的x根据封装类型代入相应的字母。
d : cpt3 (d-pak), j : lpt (d2-pak), x : to220fm, z : to3pf, z1 : to247, d3 : to252
※ ☆ : 开发中
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