高速同步MOSFET驱动器LTC4449的性能特点及适用范围
凌力尔特公司 （linear technology corporation） 推出的高速同步 mosfet 驱动器 ltc4449，该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 n 沟道功率 mosfet 而设计。这个驱动器结合凌力尔特公司的 dc/dc 控制器和功率 fet 可形成一个完整的高效率同步稳压器，该稳压器可用作降压型或升压型 dc/dc 转换器。
ltc4449 在 4v 至 6.5v 范围内驱动高端和低端 mosfet 栅极，以高达 38v 的电源电压工作。这个强大的驱动器可以吸收高达 4.5a 电流和提供 3.2a 电流，从而使该器件非常适用于驱动高栅极电容和大电流 mosfet。它还可以驱动多个并联的 mosfet，以实现更大电流的应用。当驱动一个 3000pf 负载时，高端 mosfet 的快速 8ns 上升时间和 7ns 下降时间、低端 mosfet 的 7ns 上升时间和 4ns 下降时间最大限度地降低了开关损耗。该器件集成了自适应贯通保护，以防止高端和低端 mosfet 同时导通，同时最大限度地缩短死区时间。
对用于电源级控制和停机的调制 （pwm） 输入来说，ltc4449 提供一个 3 态脉冲，这与所有利用 3 态输出功能的多相控制器兼容。此外，ltc4449 有一个单独的电源用于输入逻辑，以匹配控制器 ic 的信号摆幅、以及驱动器电源和逻辑电源上的欠压闭锁电路。
ltc4449edcb 采用 2mm x 3mm dfn-8 封装。
性能概要如下：
• 同步 n 沟道 mosfet 驱动器
• 4v 至 6.5v 栅极驱动 vcc 电压
• 38v 最高电源电压
• 自适应贯通保护
• 3 态 pwm 输入用于电源级控制
• 大驱动电流：提供 3.2a，吸收 4.5a
• 高端栅极：当驱动 3000pf 负载时，8ns 上升时间，7ns 下降时间
• 低端栅极：当驱动 3000pf 负载时，7ns 上升时间，4ns 下降时间
• 2mm x 3mm dfn-8 封装
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