支持低压和高压应用的E-mode GAN FET
基础半导体器件领域的高产能生产专家nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 v)和高电压(650 v)应用的e-mode（增强型）功率gan fet。nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型e-mode器件，从gan fet到其他硅基功率器件，nexperia丰富的产品组合能为设计人员提供最佳的选择。
nexperia的新产品包括五款额定电压为650 v的e-mode gan fet（rds(on)值介于80 mω至190 mω之间），提供dfn 5x6 mm和dfn 8x8 mm两种封装。这些产品可在高电压(<650 v)、低功率的数据通讯/电信、消费类充电、太阳能和工业应用中提高电源转换效率，还可用于高精度无刷直流电机和紧凑型服务器设计，以实现更高扭矩和更大功率。
nexperia现还提供采用wlcsp8封装的100 v (3.2 mω) gan fet和采用fclga封装的150 v (7 mΩ) gan fet。这些器件适合各种低电压(<150 v)、高功率应用，例如，数据中心使用的高效dc-dc转换器、快速充电（电动出行类和usb-c类）、小尺寸lidar收发器、低噪声d类音频放大器以及功率密度更高的消费类设备（如手机、笔记本电脑和游戏主机）。
在许多功率转换应用中，gan fet凭借紧凑型解决方案尺寸能实现更高的功率效率，从而显著降低物料(bom)成本。因此，gan器件在主流电力电子市场逐渐得到了广泛应用，包括服务器计算、工业自动化、消费类应用和电信基础设施。基于gan的器件具备快速转换/开关能力（高dv/dt和di/dt），可在低功率和高功率转换应用中提供出色的效率。nexperia的e-mode gan fet具有出色的开关性能，这得益于极低的qg和qoss值，并且低rds(on)有助于实现更高的功率效率设计。
这些新器件进一步扩充了nexperia丰富的gan fet产品系列，适合各种功率转换的应用。产品组合包括支持高电压、高功率应用的级联器件，支持高电压、低功率应用的650 v e-mode器件和支持低电压、高功率应用的100/150 v e-mode器件。此外，nexperia e-mode gan fet采用8英寸晶圆生产线制造以提高产能，符合工业级的jedec标准。nexperia的gan器件产品系列不断扩充，充分体现了nexperia坚守承诺，促进优质硅器件和宽禁带技术发展的决心。
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nexperia现还提供采用wlcsp8封装的100 v (3.2 mω) gan fet和采用fclga封装的150 v (7 mΩ) gan fet。这些器件适合各种低电压(<150 v)、高功率应用，例如，数据中心使用的高效dc-dc转换器、快速充电（电动出行类和usb-c类）、小尺寸lidar收发器、低噪声d类音频放大器以及功率密度更高的消费类设备（如手机、笔记本电脑和游戏主机）。
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