纳芯微驱动芯片NSD1624，有效解决高压、高频系统中SW pin负压和高dv/dt！
nsd1624是纳芯微最新推出的非隔离高压半桥驱动芯片，驱动电流高达+4/-6a，可用于驱动mosfet/igbt等各种功率器件。
可广泛应用于
• 光伏、储能等新能源领域
• 空调压缩机、工业电机驱动
• 高效高密度工业、通信、服务器电源
• 半桥、全桥、llc电源拓扑
如下图nsd1624功能框图所示，纳芯微创新地将隔离技术方案应用于高压半桥驱动中，使得高压输出侧可以承受高达1200v的直流电压，同时sw pin可以满足高dv/dt和耐负压尖峰的需求。可适用于各种高压半桥、全桥、llc电源拓扑上。
nsd1624输入逻辑可兼容ttl/cmos，方便控制。高压侧和低压侧均具备独立的供电欠压保护功能（uvlo），能在10~20v电压范围内工作。此外，nsd1624可提供sop14，sop8，lga 4*4mm多种封装形式。
nsd1624功能框图
nsd1624简化应用电路
解决高压、高频系统中sw pin负压和高dv/dt的痛点
图一：半桥驱动ic典型应用电路图示
图二：q1、q2管子开关过程中，sw产生震荡和负压
上图一所示是半桥驱动ic非常典型的应用电路。在q1、q2管子开关过程中，sw 会产生一定程度的震荡，同时会有负压产生，如上图二所示。如果驱动ic sw pin 耐负压能力比较低，就会导致ic损坏。
sw pin 产生震荡和负压的原因是：当上管关闭时，由于负载呈感性，电流不能突变，电流便会从gnd 通过下管的体二极管进行续流，如图一的红色箭头方向所示。在真实电路中，该电流路径上许多地方会存在寄生电感，如图一的绿色电感。
sw 的电压 usw=-lss * (di/dt)，通过公式可以看出，续流电流通过路径中的寄生电感，会在sw上产生负压。如果负载电流越大，开关频率越高，即di/dt 大，同时电路中寄生电感越大，即lss 值越大，则sw产生的震荡和负压就会越大，就会越容易损坏驱动ic。
此外，开关频率越大，sw产生的dv/dt就越大。如果选择的驱动ic dv/dt 抗干扰能力不足，便会导致驱动ic内部逻辑错误，可能会使得驱动ic的ho 和 lo同时输出高电平，使得上下管同时打开，造成短路，甚至烧坏管子。
纳芯微创新地将隔离技术方案应用于nsd1624 高压半桥ic中，很好解决了上述问题，即：sw pin负压和高dv/dt的痛点。该创新技术，使得nsd1624 sw pin 电压能够承受高达±1200v，可以承受非常高的负压；同时dv/dt抗干扰能力超过100kv/us。因而 nsd1624 非常适合高频、高压、高可靠性的应用场景，符合电源行业发展的趋势。
产品特性
• 高压侧电压范围：1200v (sop14封装)；700v (sop8 / lga10 封装)
• sw pin耐压：±1200v (sop14封装)；±700v (sop8 / lga10 封装)
• 高压侧dv/dt抗干扰能力：100kv/us
• 驱动电流能力：+4/-6a
• vdd最大耐压值：24v
• 两通道都具备欠压保护
• 典型传播延时：22ns
• 最大延时匹配：7ns
• 工作环境温度：-40℃ ~ 125℃
• 符合 rohs 标准的封装类型：sop8/sop14/lga10
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sw pin 产生震荡和负压的原因是：当上管关闭时，由于负载呈感性，电流不能突变，电流便会从gnd 通过下管的体二极管进行续流，如图一的红色箭头方向所示。在真实电路中，该电流路径上许多地方会存在寄生电感，如图一的绿色电感。
sw 的电压 usw=-lss * (di/dt)，通过公式可以看出，续流电流通过路径中的寄生电感，会在sw上产生负压。如果负载电流越大，开关频率越高，即di/dt 大，同时电路中寄生电感越大，即lss 值越大，则sw产生的震荡和负压就会越大，就会越容易损坏驱动ic。
此外，开关频率越大，sw产生的dv/dt就越大。如果选择的驱动ic dv/dt 抗干扰能力不足，便会导致驱动ic内部逻辑错误，可能会使得驱动ic的ho 和 lo同时输出高电平，使得上下管同时打开，造成短路，甚至烧坏管子。
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• sw pin耐压：±1200v (sop14封装)；±700v (sop8 / lga10 封装)
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