【科普小贴士】MOSFET的性能：电容的特性
ciss、crss和coss的电容特性是影响mosfet开关特性的重要因素。
ciss：输入电容（ciss＝cgd＋cgs）
⇒栅极-漏极和栅极-源极电容之和：它影响延迟时间；ciss越大，延迟时间越长。
crss：反向转移电容（crss＝cgd）
⇒栅极-漏极电容：crss越大，漏极电流上升特性越差，这不利于mosfet的损耗。高速驱动需要低电容。
coss：输出电容（coss＝cgd＋cds）
⇒栅极-漏极和漏极-源极电容之和：它影响关断特性和轻载时的损耗。如果coss较大，关断dv／dt减小，这有利于噪声。但轻载时的损耗增加。
图3-11（a）mosfet的电容模型
图3-11（b）mosfet的典型电容特性
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