美浦森N沟道超级结MOSFET SLH60R028E7
slh60r028e7是一款600v n沟道多层外延工艺的超结mos，由于mosfet的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，故在高压领域，普通mosfet导通阻抗大，难以满足实际应用需要。超结mosfet兼具高耐压特性和低电阻特性，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压vdmos，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。
封装
特性
美浦森sj-mosfet采用了国际先进的多层外延工艺，rsp水平与国际主流品牌相当。
该工艺的超结mos产品应用可靠性更高，eas及emi通过性更好。
具有内阻低，抗冲击能力强，结电容低，可靠性高，品质稳定等特点。入偏置电流：1na（最大值）
应用范围
● led电源 ● pd电源
● pc和服务器电源
● 光伏逆变
● ups
● 充电桩
● 智能家居 ● bldc
● bms
● 小家电
主要器件
产品型号 封装外形 导通电阻-rds
（on） [r](max)
slh60r043e7d
to-247 0.043
slh60r041gtdi to-247 0.041
slh60r040e7
to-247 0.040
slh60r030e7d
to-247 0.030
slh60r028e7
to-247 0.028
slh65r039gtdi to-247 0.039
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