避免触及美国的知识产权!长鑫存储自研设计DRAM芯片
6月13日消息，据日经新闻引述未具名消息人士称，长鑫存储已经重新设计dram芯片，以尽量减少对美国原产技术的使用。
该消息人士表示，长鑫存储还无法完全消除威胁，其生产中依然会使用到美国的半导体设备(如applied materials、lam research及kla-tencor)和eda工具(如cadence和synopsys)，但重新设计能够降低威胁，避免触及美国的知识产权。
长鑫存储董事长兼ceo朱一明去年10月曾前往欧洲，与欧洲最大的半导体设备供应商asml商谈合作，并访问了比利时的imec，这是一家专注于纳米电子和数字技术的开创性研究机构。由此可见，长鑫正在寻求美国以外的供应商的支持。
长鑫存储是在合肥市政府和兆易创新共同推动下成立的，整个项目预计总投资超过72亿美元。消息人士指出，长鑫最初每月将生产约10,000片晶圆，虽然需要经历某种学习曲线，但是按照计划，到2019年年底，长鑫存储产能将达到2万片/月。
根据长鑫存储去年透露的dram项目5年规划，将在2019年三季度推出8gb lpddr4，到2019年年底，产能达到2万片/月。从2020年开始，开始规划二厂，2021年完成17nm研发。
cinno分析师sean yang指出，与全球130万片dram 硅晶圆的月产量相比，长鑫的产能仍然较小，但对于目前完全无法自制dram的中国大陆来说，却是一大突破。
长鑫存储dram技术来源于奇梦达，之后通过与国际大厂合作，持续投入研发超过25亿美元，并不断完善自身研发技术，目前已累积有1万6千个专利申请。
奇梦达是从英飞凌拆分出来的知名dram大厂，但在2009年1月，奇梦达向法院申请破产保护。奇梦达慕尼黑研发中心和中国研发中心（位于西安高新区）是较大的两大研发中心。
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