磁敏二极管特性_磁敏二极管的结构
磁敏二极管特性
磁敏二极管内部结构与普通二极管不同，在p区与n区之间有一线度远大于载流子扩散长度的高纯空间电荷区——1区，在1区的一个侧面上，嵌有一载流子高复合区——r区，其基本结构如图1所示。该管采用电子与空穴双注入效应及复合效应来控制流过pn结的电流。在外界磁场的作用下，两效应作用结果以乘积取值。因此它具有很高的探测灵敏度。当外界无磁场时，加正向电压，n区电子大部分注入p区空穴内（图2），只有少数载流子在1区及r区复合，器件呈稳定状态。若外界加一正向磁场b+（图3）时，在正向磁场洛仑兹力的作用下，空穴及电子运动方向均偏向r区，空穴及电子在r区的复合率极高，因此大部分载流子在r区复合，则1区中载流子数目大为减少，r区电阻随之增大，压降亦增大，从而循环产生正反馈，使该管外部表现为电阻增大，电流减小，压降增大；反之，外界加b－（图4）时，则外部表现为电阻减小，电流增大，压降减小。
磁敏二极管的电压输出特性如图5所示，由图可看出，在弱磁场作用下，输出电压（u）与磁感应强度（b）成正比呈线性关系，磁敏二极管的伏安特性如图6所示。在磁感应强度b不同时，有着不同的伏安特性曲线，ab为负载线。由图可以看出，通过磁敏二极管的电流越大，在同一磁场作用下，输出电压越高，灵敏度也越高。在负向磁场作用下，其电阻小、电流大；在正向磁场作用下，其电阻大，电流小。
最后，在选择该管时还要注意一些重要的参数，额定工作电压：v0；工作电流：l0；及使用频限f0。例如国产2acm－1a管，其v0=12v，2ma《i0《215ma，f0《10khz。
磁敏二极管是一种磁电转换器件。这种元件比霍尔元件的探测灵敏度高，且具有体积小、响应快、无触点、输出功率大及线性特性好的优点。该器件在磁力探测、无触点开关、位移测量、转速测量及其他各种自动化设备上得到了广泛的应用。
磁敏二极管内部结构与普通二极管不同，在p区与n区之间有一线度远大于载流子扩散长度的高纯空间电荷区-1区，在1区的一个侧面上，嵌有一载流子高复合区-r区，其基本结构如图1所示。该管采用电子与空穴双注入效应及复合效应来控制流过pn结的电流。在外界磁场的作用下，两效应作用结果以乘积取值。因此它具有很高的探测灵敏度。当外界无磁场时，加正向电压，n区电子大部分注入p区空穴内（图2），只有少数载流子在1区及r区复合，器件呈稳定状态。若外界加一正向磁场b+（图3）时，在正向磁场洛仑兹力的作用下，空穴及电子运动方向均偏向r区，空穴及电子在r区的复合率极高，因此大部分载流子在r区复合，则1区中载流子数目大为减少，r区电阻随之增大，压降亦增大，从而循环产生正反馈，使该管外部表现为电阻增大，电流减小，压降增大；反之，外界加b一（图4）时，则外部表现为电.r减小，电流增大，压降减小。
磁敏二极管的电压输出特性如图5所示，由图可看出，在弱磁场作用下，输出电压（u）与磁感应强度（b）成正比呈线性关系，磁敏二极管的伏安特性如图6所示。在磁感应强度b不同时，有着不同的伏安特性曲线，ab为负载线。由图可以看出，通过磁敏二极管的电流越大，在同一磁场作用下，输出电压越高，灵敏度也越高。
在负向磁场作用下，其电阻小、电流大；在正向磁场作用下，其电阻大，电流小。
最后，在选择该管时还要注意一些重要的参数，额定工作电压：vo；工作电流：lo;及使用频限foo例如国产2acm-1a‘管，其vo=12v，2ma《io《215ma，fo《lokhz。
磁敏二极管的结构 磁敏二极管的结构如下图所示。它是平面p＋-i-n＋型结构的二极管。在高纯度半导体锗的两端用合金法做成高掺杂p型区和n型区。i区是高纯空间电荷区，该区的长度远远大于载流子扩散的长度。在i区的一个侧面上，用扩散、研磨或扩散杂质等方法制成高复合区r，在r区域内载流子的复合速率较大。
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磁敏二极管的电压输出特性如图5所示，由图可看出，在弱磁场作用下，输出电压（u）与磁感应强度（b）成正比呈线性关系，磁敏二极管的伏安特性如图6所示。在磁感应强度b不同时，有着不同的伏安特性曲线，ab为负载线。由图可以看出，通过磁敏二极管的电流越大，在同一磁场作用下，输出电压越高，灵敏度也越高。在负向磁场作用下，其电阻小、电流大；在正向磁场作用下，其电阻大，电流小。
最后，在选择该管时还要注意一些重要的参数，额定工作电压：v0；工作电流：l0；及使用频限f0。例如国产2acm－1a管，其v0=12v，2ma《i0《215ma，f0《10khz。
磁敏二极管是一种磁电转换器件。这种元件比霍尔元件的探测灵敏度高，且具有体积小、响应快、无触点、输出功率大及线性特性好的优点。该器件在磁力探测、无触点开关、位移测量、转速测量及其他各种自动化设备上得到了广泛的应用。
磁敏二极管内部结构与普通二极管不同，在p区与n区之间有一线度远大于载流子扩散长度的高纯空间电荷区-1区，在1区的一个侧面上，嵌有一载流子高复合区-r区，其基本结构如图1所示。该管采用电子与空穴双注入效应及复合效应来控制流过pn结的电流。在外界磁场的作用下，两效应作用结果以乘积取值。因此它具有很高的探测灵敏度。当外界无磁场时，加正向电压，n区电子大部分注入p区空穴内（图2），只有少数载流子在1区及r区复合，器件呈稳定状态。若外界加一正向磁场b+（图3）时，在正向磁场洛仑兹力的作用下，空穴及电子运动方向均偏向r区，空穴及电子在r区的复合率极高，因此大部分载流子在r区复合，则1区中载流子数目大为减少，r区电阻随之增大，压降亦增大，从而循环产生正反馈，使该管外部表现为电阻增大，电流减小，压降增大；反之，外界加b一（图4）时，则外部表现为电.r减小，电流增大，压降减小。
磁敏二极管的电压输出特性如图5所示，由图可看出，在弱磁场作用下，输出电压（u）与磁感应强度（b）成正比呈线性关系，磁敏二极管的伏安特性如图6所示。在磁感应强度b不同时，有着不同的伏安特性曲线，ab为负载线。由图可以看出，通过磁敏二极管的电流越大，在同一磁场作用下，输出电压越高，灵敏度也越高。
在负向磁场作用下，其电阻小、电流大；在正向磁场作用下，其电阻大，电流小。
最后，在选择该管时还要注意一些重要的参数，额定工作电压：vo；工作电流：lo;及使用频限foo例如国产2acm-1a‘管，其vo=12v，2ma《io《215ma，fo《lokhz。
磁敏二极管的结构 磁敏二极管的结构如下图所示。它是平面p＋-i-n＋型结构的二极管。在高纯度半导体锗的两端用合金法做成高掺杂p型区和n型区。i区是高纯空间电荷区，该区的长度远远大于载流子扩散的长度。在i区的一个侧面上，用扩散、研磨或扩散杂质等方法制成高复合区r，在r区域内载流子的复合速率较大。
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