芯力特国产CAN FD芯片SIT1051，IO兼容3.3.V逻辑电平
引文：芯力特3.3v逻辑输入电源的高性能can fd收发器芯片，总线耐压达到±70v以上，支持5mbps can fd灵活数据速率，具有在总线与can协议控制器之间进行差分信号传输的能力……
近年来，随着5g时代的到来，对于数据传输速率的提高，传统can芯片只有1mbps传输速率，需要更高速率的can芯片，而芯力特3.3v逻辑输入电源的高性能can fd收发器芯片，支持5mbps can fd灵活数据速率，是can总线标准的升级版。
芯力特can fd芯片的具体参数如下：
一、芯片引脚
图 1 sit1051t/3引脚图
二、相关型号参数对比
三、芯片典型应用电路
图 2 芯片连接示意图
sit1051t/3是一款满足国际标准的高性能can fd收发器芯片。其典型应用电路如下：
图 3 1051t/3典型应用电路
1、分裂终端
分裂终端（split termination）的概念如图所示，总线端节点的终端电阻都被分成两个等值的电阻，即用两个 60ω的电阻代替一个 120ω的端电阻，在终端的中间分接点处通过一个电容 c（1nf~100nf）连接到地。这种接法可以有效减少辐射，使系统有更好的抗干扰性。总线上的其它 stub 节点也可以选用相似的分裂终端配置。stub 节点的电阻选择必须使包括所有终端电阻的总线负载在 50ω~65ω的规定范围中。例如，有 10 个节点时，8 个 stub节点和 2 个总线终端节点，典型 stub 节点的电阻值是 1.3kω。
如果使用了分裂终端后的 emc 性能仍不足够，也可以选择使用对地匹配电容和共模电感（电感扼流器）。
如不需要使用分裂终端，可直接接终端电阻。
2、对地匹配电容
canh 和 canl 输出到 gnd 的一对匹配电容用于提高抗电磁干扰的性能。相应噪声源的阻抗和 canh 和 canl 对地的电容组成了一个 rc 低通滤波器。电容值必须由节点的数量和数据传输频率决定。一般选取《100pf，如果外接 esd 保护器件，该电容值可适当减小或省掉。图中串联电阻可调整与对地电容形成的低通滤波器性能，但电阻值不应过大，导致显性差分电压值降低明显。
3、共模电感
共模电感对共模信号有高阻抗，对差动信号有低阻抗。因此，由 rf 噪声和/或收发器驱动器的不理想对称产生的共模信号都被显著地衰减。所以，电感扼流器可以减少辐射以提高抗干扰性。
如果首先要提高抗干扰性， 建议将对地电容放置在收发器和普通模式扼流器之间。 如果，另一方面，要减少辐射，则建议将电容放置在扼流器和分裂终端之间。
4、esd 保护器件
如果系统需要在-30v~+30v 共模范围内正常工作，需选用双向 esd 保护器件。如果共模变化范围为正，可选用单向二极管 esd 保护器件。在系统通讯速率较高时，最好选用响应速度快且电容值小的 esd 保护器件。
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芯力特can fd芯片的具体参数如下：
一、芯片引脚
图 1 sit1051t/3引脚图
二、相关型号参数对比
三、芯片典型应用电路
图 2 芯片连接示意图
sit1051t/3是一款满足国际标准的高性能can fd收发器芯片。其典型应用电路如下：
图 3 1051t/3典型应用电路
1、分裂终端
分裂终端（split termination）的概念如图所示，总线端节点的终端电阻都被分成两个等值的电阻，即用两个 60ω的电阻代替一个 120ω的端电阻，在终端的中间分接点处通过一个电容 c（1nf~100nf）连接到地。这种接法可以有效减少辐射，使系统有更好的抗干扰性。总线上的其它 stub 节点也可以选用相似的分裂终端配置。stub 节点的电阻选择必须使包括所有终端电阻的总线负载在 50ω~65ω的规定范围中。例如，有 10 个节点时，8 个 stub节点和 2 个总线终端节点，典型 stub 节点的电阻值是 1.3kω。
如果使用了分裂终端后的 emc 性能仍不足够，也可以选择使用对地匹配电容和共模电感（电感扼流器）。
如不需要使用分裂终端，可直接接终端电阻。
2、对地匹配电容
canh 和 canl 输出到 gnd 的一对匹配电容用于提高抗电磁干扰的性能。相应噪声源的阻抗和 canh 和 canl 对地的电容组成了一个 rc 低通滤波器。电容值必须由节点的数量和数据传输频率决定。一般选取《100pf，如果外接 esd 保护器件，该电容值可适当减小或省掉。图中串联电阻可调整与对地电容形成的低通滤波器性能，但电阻值不应过大，导致显性差分电压值降低明显。
3、共模电感
共模电感对共模信号有高阻抗，对差动信号有低阻抗。因此，由 rf 噪声和/或收发器驱动器的不理想对称产生的共模信号都被显著地衰减。所以，电感扼流器可以减少辐射以提高抗干扰性。
如果首先要提高抗干扰性， 建议将对地电容放置在收发器和普通模式扼流器之间。 如果，另一方面，要减少辐射，则建议将电容放置在扼流器和分裂终端之间。
4、esd 保护器件
如果系统需要在-30v~+30v 共模范围内正常工作，需选用双向 esd 保护器件。如果共模变化范围为正，可选用单向二极管 esd 保护器件。在系统通讯速率较高时，最好选用响应速度快且电容值小的 esd 保护器件。
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