DS1220Y 16k非易失SRAM
ds1220y 16k非易失sram为16,384位、全静态非易失ram，按照8位、2048字排列。每个nv sram均自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视vcc是否超出容差范围，一旦超出容差范围，锂电池便自动切换至供电状态、写保护将无条件使能、防止数据被破坏。nv sram器件可以直接用来替代现有的2k x 8 sram，符合通用的单字节宽、24引脚dip标准。ds1220y还与2716 eprom或2816 eeprom的引脚排列匹配，可直接替换并增强其性能。该器件没有写次数限制，可直接与微处理器接口、不需要额外的支持电路。
关键特性
在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
掉电期间数据被自动保护
直接替代2k x 8易失静态ram或eeprom
没有写次数限制
低功耗cmos操作
jedec标准的24引脚dip封装
100ns的读写存取时间
±10%工作范围
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