韩国媒体《商业观察》发表文章称,韩国半导体企业的地位岌岌可危。这是因为中国等海外企业的技术正在快速增长。雪上加霜的是,今年半导体市场也将面临困境。
有专家表示,现在其他公司的200层以上nand闪存几乎无法买到,而中国长江存储科技公司(ymtc)的232层nand闪存在市场上很容易买到。长江存储拥有超过200层的层压结构并实际应用这一事实意味着已经取得了重大的技术进步。
据外媒报道,长江存储去年7月生产了232层3d nand闪存样机,同年11月开始投入量产。
去年11月,三星电子开始量产nand闪存,估计有236层。长江存储nand闪存业务起步较三星电子晚。然而,200层以上的nand闪存同时量产成功,迅速缩小了技术差距。
三星电子、sk海力士、美光从2014年左右开始在市场上推出了3d nand闪存,长江存储从2018年开始了3d nand闪存业务。长江存储虽然有后来者的局限性,但技术能力正在迅速增长。
美国的追击也很凶狠。美国半导体企业美光去年7月在世界上首次成功批量生产了232层nand闪存。新一代dram也最先公开。美光去年11月在市场上首次推出了“10纳米级第五代(1b)dram”。业界担心,美光接连获得“世界第一”头衔后,韩国企业的行业地位正在动摇。
另外,美光拥有很多专利,这也将对韩国企业构成威胁。现在美光拥有的专利是三星电子和sk海力士的2倍左右。业内人士表示,美光致力于专利是为了今后在3d dram领域占据优势。
对此,有韩国专家主张说:“为了甩开海外企业的追击,应该加快技术开发速度。美光等企业正在积极进军市场。韩国企业也有必要提前技术开发计划,以摆脱海外企业的追击。”
有人预测,今年半导体市场将出现负增长。国际半导体设备与材料协会(semi)市场研究与统计部研究员ina skvortsova表示,“今年半导体市场因经济不利因素和地缘政治问题,预计将下滑约7%,为5500亿美元。”
研究员skvortsova将今年半导体的下滑分析为“周期”的一部分。他说:“通常半导体市场增长2年,会经历1年的低迷期。从现在的市场方向来看,增长势头会下降,进入停滞期。”
但从长期来看,半导体市场有望保持稳定的增长势头。skvortsova预测说:“半导体芯片的增长潜力很好,可以称之为新的石油。半导体市场在今后10年间将增长到1.3万亿美元。”据semi推算,去年整个半导体市场规模达5900亿美元。据分析,今后将增长2倍以上。
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