三星、美光3D-NAND Flash产出比重已逾50%
集邦咨询半导体研究中心（dramexchange）最新研究显示，随着下半年各家原厂最新64层堆栈的3d-nand flash产能开出，在三星及美光等领头羊带领下，预估第三季3d-nand flash产出比重将正式超越50%，成为 nand flash市场的主流制程，此外，由于新一代iphone的备货需求将至，以及ssd应用需求稳健成长，预估下半年整体nand flash市场仍维持供需较为吃紧的态势。
dramexchange指出，从供给面来看，各家原厂3d-nand flash新增的产能逐渐增加，后续观察的重点将在良率提升的速度及导入emmc与ssd等各项oem的产品的速度，同时，整体nand flash供货吃紧的态势，也取决于下半年新一代iphone需求的强弱而定。
三星、美光3d-nand flash产出比重已逾50%，sk海力士冲刺72层产品
从各家进度来看，三星依旧维持3d-nand flash竞赛的领先地位，48层堆栈的3d-nand flash已广泛应用在企业级固态硬盘、消费级固态硬盘和移动式nand flash装置上，且三星凭借着较佳的性价比快速囊括市占率。现在，三星平泽厂机台装机已告完毕，预计将从七月起正式生产最新64层的3d-nand flash。
东芝与西数阵营部分，虽然之前已有48层堆栈的3d-nand flash，但整体发展重点仍在64层堆栈的产品上，预计最快于五月底开始送样测试，下半年可望顺利量产。
美光目前3d-nand flash产出比重也超越50%，仅次于第一名的三星，目前其32层堆栈的3d-nand flash不仅为各大模组厂的主要用料，美光品牌的固态硬盘出货也十分畅旺。
sk海力士继之前36层与48层之后，日前也宣布直接推出72层的3d-nand flash产品，预期下半年量产后可快速拉近与领先集团的距离。
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