五款无刷电机驱动电路
1、三相六臂全桥驱动电路
无刷直流电机驱动控制电路如图1 所示。该电路采用三相六臂全桥驱动方式,采用此方式可以减少电流波动和转矩脉动,使得电机输出较大的转矩。在电机驱动部分使用6个功率场效应管控制输出电压,四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12 v.驱动电路中,q1~q3采用ir公司的irfr5305(p沟道),q4~q6为irfr1205(n 沟道)。该场效应管内藏续流二极管,为场效应管关断时提供电流通路,以避免管子的反向击穿,其典型特性参数见表1.t1~t3 采用pdtc143et 为场效应管提供驱动信号。
由图1 可知,a1~a3 提供三相全桥上桥臂栅极驱动信号,并与atmega16单片机的硬件pwm驱动信号相接,通过改变pwm信号的占空比来实现电机转速控制;b1~b3提供下桥臂栅极驱动信号,由单片机的i/o口直接提供,具有导通与截止两种状态。
无刷直流电机驱动控制采用三相六状态控制策略,功率管具有六种触发状态,每次只有两个管子导通,每60°电角度换向一次,若某一时刻ab 相导通时,c 相截至,无电流输出。单片机根据检测到的电机转子位置,利用mosfet的开关特性,实现电机的通电控制,例如,当q1、q5 打开时,ab 相导通,此时电流流向为电源正极→q1→绕组a→绕组b→q5→电源负极。类似的,当mosfet 打开顺序分别为q1q5,q1q6,q2q6,q2q4,q3q4,q3q5时,只要在合适的时机进行准确换向,就可实现无刷直流电机的连续运转。
2、三相全桥驱动电路
下图为无刷电机的三相全桥驱动电路,使用六个n沟道的mosfet管(q1~q6)做功率输出元件,工作时输出电流可达数十安。为便于描述,该电路有以下默认约定:q1/q2/q3称做驱动桥的“上臂”,q4/q5/q6称做“下臂”。
图中r1/r2/r3为q1/q2/q3的上拉电阻,连接到二极管和电容组成的倍压整流电路(原理请自行分析),为上臂驱动管提供两倍于电源电压(2×11v)的上拉电平,使上臂mosfet在工作时有足够高的vgs压差,降低mosfet大电流输出时的导通内阻,详细数据可参考mos管datasheet。
上臂mos管的g极分别由q7/q8/q9驱动,在工作时只起到导通换相的作用。下臂mos由mcu的pwm输出口直接驱动,注意所选用的mcu管脚要有推挽输出特性。
3、单片机控制直流无刷电动机驱动及接口电路图
图1示出采用8751单片机来控制直流无刷电动机的原理框图。8751的p1口同7406反相器联结控制直流无刷电动机的换相,p2口用于测量来自于位置传感器的信号h1、h2、h3,p0口外接一个数模转换器。
图1 直流无刷电动机计算机控制原理图
4、电动车无刷电机控制器驱动电路图
5、全桥驱动电路
无刷直流电机一般使用全桥驱动,即6个mosfet分别构成上臂和下臂,通过mcu具有推挽输出的io口控制,或者使用电机驱动专用芯片控制。
最常用的应该是3个p-mos+3个n-mos,电路结构简单。如下图所示。
这里使用的是mk电调v2.0版本中使用的mosfet,p-mos—irfr5305、n-mos—irfr1205n-mos的vgs(th)=2v~4v,直接用工作在vcc=5v的mcu即可驱动控制,但注意io口必须具有推挽输出功能,否则io口的驱动能力不够。图中r7/r8/r9可视为下拉电阻,使n-mos的栅极电平有一个参考地,电平稳定不会意外导通mosfet。r10/r11/r12电阻的作用有三个,一是减少振荡,二是减小栅极充电的峰值电流,三是防止n-mos的漏-源极击穿。
由于mcu的io引脚都存在杂散电感,与栅极电容串联形成lc振荡,加入电阻后会增大振荡阻尼而减小振荡;当对栅极加驱动电压时,会对栅源电容ciss充电,此时vgs上升但未到达阈值电压vgs(th)时vds基本不变,这段时间称为导通延迟时间td(on)。当vgs》vgs(th)时,vds下降同时id上升,这期间栅极和漏极之间的传输反向电容crss开始向漏极放电,而此时栅极电流会流向该电容对其充电,但基本没有对ciss充电,所以vgs基本保持不变,这段时间称为上升时间tr,tr之后才会继续对ciss充电。电容充电的尖峰电流可以计算如下:i=qg/(td+tr),其中qg=qgs+qgd,即td+tr时间内的充电电量,计算结果电流是远大于mcu的io口输出驱动电流,因此通过串联电阻,增加充电时间,即t=rc。但这会导致vgs的上升沿和vds的下降沿斜率减小,影响mosfet的开关性能,所以电阻的选取要准确。(此处理论知识分析可能不正确,我也在学习mosfet的驱动应用原理,若有误或需要补充会再做修改)
防止漏源击穿的原因也是和电容的时间常数有关,当栅极驱动电压快速关断,漏源极从导通状态变为截止状态,vds迅速增加,当dvds/dt过大就会击穿器件,串联电阻可以减缓ciss的放电时间,使vgs缓慢变化,因此vds不会迅速增加。
p-mos的vgs(th)《0,源极一般加11v电压,mcu的io口无法正常控制p-mos的开关,我们需要用三级管驱动栅极,三极管由io口驱动控制。电阻r1/r2/r3上拉栅极电压,使p-mos能关断。这个电阻不能太小,否则会造成三极管导通时承受过大的电流。同时电阻也不能太大,否则会增加三极管bc极间电容的充电时间,延长三极管的导通时间,进而影响p-mos栅极电压vgs的上升时间。
三极管的选择不能选用我们常用的8050或9013小信号的三极管,它们的耐压和导通电流太低,所以这里我选择了ss8050(mk中使用的三极管找不到)。r4/r5/r6阻值的选择无特别要求,只要使三极管工作在饱和区即可。
三相直流无刷电机驱动程序
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详细无刷电机驱动程序_五款无刷电机驱动电路
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