金属氧化物半导体场效应晶体管应用
据外媒报道，当地时间7月24日，日本半导体制造商罗姆（rohm）宣布推出超级紧凑，尺寸为1.6 x1.6毫米的rv4xxx系列mosfet（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品，可提供优越的安装可靠性。该系列产品符合汽车电子可靠性标准aec-q101，即使在极端工作条件下，也可确保车用级可靠性和性能。此外，该产品采用了罗姆独有的封装加工技术，有助于实现adas摄像头模块等汽车电子设备的小型化。
近年来，汽车安装了越来越多的adas摄像头等汽车安全和便利系统，但是此类系统受安装空间的限制，对较小部件的需求也越来越多。为满足此类需求，在保持高电流的前提下，有望进一步实现小型化的底部电极封装mosfet受到了人们的关注。但是，对于汽车应用来说，在装配过程中为了保证质量需要进行光学检查，但是，对于底部电极封装组件来说，安装后无法验证焊料的高度，因而很难确定安装条件。
但是，此次，罗姆通过利用独有的wettable flank成型技术，确保了封装侧面电极部分的高度（130µm）符合汽车应用，从而确保了即使是底部电极组件的焊料质量也能保持一致，可在产品安装后的自动检查机器可以轻易验证安装后的焊料条件。
关键特性
1、 专有的wettable flank技术确保封装测量电极部分高度为130µm
罗姆的wettable flank成型技术是在封装侧面的引线框架加入切割再进行电镀的技术。但是，引线框架的高度越高越容易产生毛刺，因此，罗姆研发了一种独特的方法，在引线框架的整个表面都设置了用来减少毛刺的阻挡层，不仅可以防止组件在安装时产生倾斜和焊接不良，而且作为dfn1616（1.6 x1.6毫米）封装产品，是业界首个保证封装侧面电极部分高度为130µm的产品。
2、紧凑型底部电极mosfet，可减少安装面积
近年来，肖特基势垒二极管（sbd）被广泛用于adas摄像头模块的反接保护电路中。但是，由于先进汽车系统中的高分辨率摄像头需要更大的电流，sbd正日益被紧凑型mosfet取代，因为mosfet导电电阻低且产生的热量少。
例如，在电流为2.0a，功耗为0.6w时，传统的车用级mosfet安装面积比sbd的少30%。而且采用底部电极封装的mosfet，散热性更好，同时不仅可实现小型化，还可实现大电流。因此，与传统的sbd相比，其安装面积可削减78%，与普通的mosfet相比，安装面积可削减68%。
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