采用先进的封装技术来测量深腐蚀沟槽
由于其平行照明，wli pl非常适合用于测量具有高深宽比的等离子切割刻蚀沟槽，因为大部分光到达了刻蚀结构的底部，因此可以测量深度。
随着经典摩尔定律晶体管的优势在单片芯片上缩小，先进封装的采用正在加速。先进的封装通过高密度互连实现了多个不同管芯的异构集成，从而提高了设备性能并减小了占位面积。先进的封装体系结构，例如英特尔的嵌入式多芯片互连桥，台积电的集成扇出和高带宽内存（hbm），已经满足了摩尔定律的要求，以满足对更大的连接性，计算能力，速度和成本的需求在运输，5g，物联网，人工智能和高性能计算中的大趋势的有效性。先进的封装使行业能够开发新的倒装芯片工艺，2.5d中介层和tsv技术，以及最近的2d和3d扇出工艺，它们在最小的空间内具有高密度的连接。
扇出晶圆级包装（fowlp）是当今增长最快的高级包装领域之一。根据yole research，fowlp预计将从2016年的3.2亿美元增长到2022年的$ 2.5b。在fowlp中，单个芯片组装到由低成本聚合物材料制成的人造晶圆中，并具有额外的连接空间。 rdl将芯片上的连接重定向到边缘区域。 fowlp的优势包括由于更薄的封装而提高了每瓦性能，并提供了更多的不同设计，但是这些新器件的制造带来了新的测量挑战，包括测量深蚀刻沟槽的能力。
已建立的设备microprof®系列–来自的多传感器技术frt（formfactor公司）–结合白光干涉仪wli pl和wli fl，在其他过程达到极限的生产，研究和开发的高级包装领域，提供光学和非接触式创新解决方案。例如，等离子切块刻蚀沟槽的深度为50至200 µm，远远超出了afm或轮廓仪尖端的范围。许多光学方法（例如共聚焦显微镜）也因其孔径而不适用于此测量，因为由于侧壁的阴影，没有来自沟槽底部的光可以回到传感器中。另外，蚀刻工艺导致蚀刻沟槽中的表面变粗糙，并因此导致基板表面与沟槽底部之间的反射率的高差异，这可能导致测量期间的问题。
由于其平行照明，wli pl非常适合于测量具有高深宽比的等离子切割蚀刻沟槽，因为大部分光到达蚀刻结构的底部，因此可以测量深度。根据表面纹理，可以测量最小宽度为2到3 µm，长宽比最高为50：1（深度与宽度）的结构。使用特殊的测量模式可以分两个测量步骤进行测量。以这样的方式测量衬底表面和结构的底部，以使得测量参数最佳地适应不同的表面条件。
测量技术的另一个问题通常是结构的横向尺寸小，因为该方法的光学分辨率通常不够高。例如，沟槽的沟槽宽度可以小于1 µm。 wli fl使用一种特殊的算法来确定宽度最小为0.7 µm的蚀刻结构的深度。在这种情况下，长宽比可以达到3：1。这允许访问以前未达到的尺寸。这种方法使得可以测量所有当前使用的tsv变体，包括直径小于1微米的通孔，这些通孔不再可用光学方法检测。
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扇出晶圆级包装（fowlp）是当今增长最快的高级包装领域之一。根据yole research，fowlp预计将从2016年的3.2亿美元增长到2022年的$ 2.5b。在fowlp中，单个芯片组装到由低成本聚合物材料制成的人造晶圆中，并具有额外的连接空间。 rdl将芯片上的连接重定向到边缘区域。 fowlp的优势包括由于更薄的封装而提高了每瓦性能，并提供了更多的不同设计，但是这些新器件的制造带来了新的测量挑战，包括测量深蚀刻沟槽的能力。
已建立的设备microprof®系列–来自的多传感器技术frt（formfactor公司）–结合白光干涉仪wli pl和wli fl，在其他过程达到极限的生产，研究和开发的高级包装领域，提供光学和非接触式创新解决方案。例如，等离子切块刻蚀沟槽的深度为50至200 µm，远远超出了afm或轮廓仪尖端的范围。许多光学方法（例如共聚焦显微镜）也因其孔径而不适用于此测量，因为由于侧壁的阴影，没有来自沟槽底部的光可以回到传感器中。另外，蚀刻工艺导致蚀刻沟槽中的表面变粗糙，并因此导致基板表面与沟槽底部之间的反射率的高差异，这可能导致测量期间的问题。
由于其平行照明，wli pl非常适合于测量具有高深宽比的等离子切割蚀刻沟槽，因为大部分光到达蚀刻结构的底部，因此可以测量深度。根据表面纹理，可以测量最小宽度为2到3 µm，长宽比最高为50：1（深度与宽度）的结构。使用特殊的测量模式可以分两个测量步骤进行测量。以这样的方式测量衬底表面和结构的底部，以使得测量参数最佳地适应不同的表面条件。
测量技术的另一个问题通常是结构的横向尺寸小，因为该方法的光学分辨率通常不够高。例如，沟槽的沟槽宽度可以小于1 µm。 wli fl使用一种特殊的算法来确定宽度最小为0.7 µm的蚀刻结构的深度。在这种情况下，长宽比可以达到3：1。这允许访问以前未达到的尺寸。这种方法使得可以测量所有当前使用的tsv变体，包括直径小于1微米的通孔，这些通孔不再可用光学方法检测。
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