基于微处理器的Arduino全桥逆变器电路图讲解
一个简单而有用的基于微处理器的arduino全桥逆变器电路可以通过使用spwm对arduino板进行编程，并通过在h桥拓扑中集成一些mosfet来构建。
在我们之前的一篇文章中，我们全面学习了如何构建简单的arduino正弦波逆变器，在这里我们将看到如何将相同的arduino项目应用于构建简单的全桥或h桥逆变器电路。
使用 p 沟道和 n 沟道 mosfet
为了简单起见，我们将使用 p 沟道 mosfet 用于高端 mosfet，将 n 沟道 mosfet 用于低侧
mosfet，这将使我们能够避免复杂的自举级，并实现 arduino 信号与 mosfet 的直接集成。
在设计基于全桥的逆变器时，通常采用n沟道mosfet，这确保了mosfet和负载之间最理想的电流切换，并确保mosfet更安全的工作条件。
然而，当使用 p 和 n 沟道 mosfet 的组合时，mosfet 上的击穿风险和其他类似因素成为一个严重的问题。
话虽如此，如果过渡阶段得到适当的保护，死区时间很短，则可以使开关尽可能安全，并且可以避免mosfet的吹扫。
在此设计中，我专门使用了使用ic 4093的施密特触发nand门，以确保两个通道之间的开关清晰，并且不受任何类型的杂散瞬变或低信号干扰的影响。
栅极 n1-n4 逻辑操作
当引脚 9 是逻辑 1，引脚 8 是逻辑 0 时
n1 输出为 0，左上角 p-mosfet 导通，n2 输出为 1，右下角 n-mosfet 导通。
n3 输出为 1，右上方 p-mosfet 关闭，n4 输出为 0，左下角 n-mosfet 关闭。
其他对角线连接的mosfet发生完全相同的顺序，当引脚9为逻辑0，引脚8为逻辑1时
工作原理
如上图所示，借助以下几点可以理解这款基于arduino的全桥正弦波逆变器的工作情况：
arduino 被编程为从引脚 #8 和引脚 #9 生成适当格式的 spwm 输出。
当其中一个引脚生成 spwm 时，互补引脚保持低电平。
上述引脚排列的相应输出通过ic
1的施密特触发nand栅极（n4---n4093）进行处理。栅极全部布置为具有施密特响应的逆变器，并馈送到全桥驱动器网络的相关mosfet。
当引脚#9产生spwm时，n1反相spwm，并确保相关的高端mosfet响应并传导spwm的高逻辑，n2确保低侧n沟道mosfet也这样做。
在此期间，引脚#8保持在逻辑零（非活动），由n3 n4适当解释，以确保h桥的另一对互补mosfet保持完全关断。
当spwm生成从引脚#8过渡到引脚#9时，上述标准相同重复，并且设置的条件在arduino引脚排列和全桥mosfet对上连续重复。
电池规格
为给定的arduino全桥正弦波逆变器电路选择的电池规格为24v / 100ah，但是可以根据用户偏好为电池选择任何其他所需的规格。
转换器初级电压规格应略低于电池电压，以确保spwm rms在变压器的次级按比例产生约220v至240v。
4093 ic 引脚排列
irf540 引脚排列详细信息（irf9540 也将具有相同的引脚排列配置）
更简单的全桥替代方案
下图显示了使用 p 和 n 沟道 mosfet 的替代 h 桥设计，该设计不依赖于 ic，而是使用普通 bjt 作为隔离 mosfet
的驱动器。
交替时钟信号由 arduino 板提供，而上述电路的正输出和负输出则提供给 arduino dc 输入。
IDT发布第一个超低功耗3LG系列矽晶差动振荡器
2018年中日韩青年文化节落幕 来自中日韩三国的36名青年代表共倡宣言
PCB板的元器件布局技巧分析
常见的16种仪表的故障分析和解决方案
瓦斯泵轴承位磨损原因及修复步骤
基于微处理器的Arduino全桥逆变器电路图讲解
手机振动功能的发展历史 如何改变我们的交互方式
压控晶振之绝对牵引范围简析
物联网技术应用实例 机场智能分拣系统
C语言的数据类型及其对应变量
大兴国际机场与阿布扎比机场合作将共同促进民航业的发展
光纤传感的最新进展及未来发展展望
开关电源模块的分类与作用
PCI9052总线接口芯片及其ISA模式应用
人工智能的企业家应该重视这四个新的方向发展
特斯拉公布全新电池生产线
一种基于FPGA的神经网络硬件实现方案详解
亚洲传感器盛会在上海顺利举行
Display Port接口科普
“慢热”的物联网平台何时迎来机遇？
在我们之前的一篇文章中，我们全面学习了如何构建简单的arduino正弦波逆变器，在这里我们将看到如何将相同的arduino项目应用于构建简单的全桥或h桥逆变器电路。
使用 p 沟道和 n 沟道 mosfet
为了简单起见，我们将使用 p 沟道 mosfet 用于高端 mosfet，将 n 沟道 mosfet 用于低侧
mosfet，这将使我们能够避免复杂的自举级，并实现 arduino 信号与 mosfet 的直接集成。
在设计基于全桥的逆变器时，通常采用n沟道mosfet，这确保了mosfet和负载之间最理想的电流切换，并确保mosfet更安全的工作条件。
然而，当使用 p 和 n 沟道 mosfet 的组合时，mosfet 上的击穿风险和其他类似因素成为一个严重的问题。
话虽如此，如果过渡阶段得到适当的保护，死区时间很短，则可以使开关尽可能安全，并且可以避免mosfet的吹扫。
在此设计中，我专门使用了使用ic 4093的施密特触发nand门，以确保两个通道之间的开关清晰，并且不受任何类型的杂散瞬变或低信号干扰的影响。
栅极 n1-n4 逻辑操作
当引脚 9 是逻辑 1，引脚 8 是逻辑 0 时
n1 输出为 0，左上角 p-mosfet 导通，n2 输出为 1，右下角 n-mosfet 导通。
n3 输出为 1，右上方 p-mosfet 关闭，n4 输出为 0，左下角 n-mosfet 关闭。
其他对角线连接的mosfet发生完全相同的顺序，当引脚9为逻辑0，引脚8为逻辑1时
工作原理
如上图所示，借助以下几点可以理解这款基于arduino的全桥正弦波逆变器的工作情况：
arduino 被编程为从引脚 #8 和引脚 #9 生成适当格式的 spwm 输出。
当其中一个引脚生成 spwm 时，互补引脚保持低电平。
上述引脚排列的相应输出通过ic
1的施密特触发nand栅极（n4---n4093）进行处理。栅极全部布置为具有施密特响应的逆变器，并馈送到全桥驱动器网络的相关mosfet。
当引脚#9产生spwm时，n1反相spwm，并确保相关的高端mosfet响应并传导spwm的高逻辑，n2确保低侧n沟道mosfet也这样做。
在此期间，引脚#8保持在逻辑零（非活动），由n3 n4适当解释，以确保h桥的另一对互补mosfet保持完全关断。
当spwm生成从引脚#8过渡到引脚#9时，上述标准相同重复，并且设置的条件在arduino引脚排列和全桥mosfet对上连续重复。
电池规格
为给定的arduino全桥正弦波逆变器电路选择的电池规格为24v / 100ah，但是可以根据用户偏好为电池选择任何其他所需的规格。
转换器初级电压规格应略低于电池电压，以确保spwm rms在变压器的次级按比例产生约220v至240v。
4093 ic 引脚排列
irf540 引脚排列详细信息（irf9540 也将具有相同的引脚排列配置）
更简单的全桥替代方案
下图显示了使用 p 和 n 沟道 mosfet 的替代 h 桥设计，该设计不依赖于 ic，而是使用普通 bjt 作为隔离 mosfet
的驱动器。
交替时钟信号由 arduino 板提供，而上述电路的正输出和负输出则提供给 arduino dc 输入。
IDT发布第一个超低功耗3LG系列矽晶差动振荡器
2018年中日韩青年文化节落幕 来自中日韩三国的36名青年代表共倡宣言
PCB板的元器件布局技巧分析
常见的16种仪表的故障分析和解决方案
瓦斯泵轴承位磨损原因及修复步骤
基于微处理器的Arduino全桥逆变器电路图讲解
手机振动功能的发展历史 如何改变我们的交互方式
压控晶振之绝对牵引范围简析
物联网技术应用实例 机场智能分拣系统
C语言的数据类型及其对应变量
大兴国际机场与阿布扎比机场合作将共同促进民航业的发展
光纤传感的最新进展及未来发展展望
开关电源模块的分类与作用
PCI9052总线接口芯片及其ISA模式应用
人工智能的企业家应该重视这四个新的方向发展
特斯拉公布全新电池生产线
一种基于FPGA的神经网络硬件实现方案详解
亚洲传感器盛会在上海顺利举行
Display Port接口科普
“慢热”的物联网平台何时迎来机遇？