闪存价格要大跌了？三星全球最大闪存芯片工厂将开工
2016年年底，由于全球存储颗粒供需紧张，导致存储价格大幅上涨，不仅仅只有固态硬盘市场就连此前一直低迷的内存市场也跟着价格上涨。2017年初始，在所有的diy硬件中，内存就率开启了疯狂的涨价模式。
分析认为价格上涨的主要原因是个人电脑以及智能手机等数码产品对快速存储的需求日益增加，导致闪存芯片出现了严重供货失衡。
去年下半年曾有分析报告预测称，三星、sk海力士、东芝、西数、美光和英特尔在将生产线从2d-nand转至3d-nand之后，产能和价格上涨问题将获得部分缓解。但是至少目前看来，相关厂商的转产还没有完成，而且无论是哪一方的观点都认为，固态硬盘的上涨仍将持续一段时间。
闪存颗粒到底是什么？ 闪存颗粒，又称闪存，是一种非易失性存储器，即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据，而且是以固定的区块为单位，而不是以单个的字节为单位。根据用途和规格不同，闪存颗粒有很多不同的变种，存储设备中的、最为常用的nand闪存颗粒。
根据nand闪存中电子单元密度的差异，又可以分为slc（单层次存储单元）、mlc（双层存储单元）以及tlc（三层存储单元），此三种存储单元在寿命以及造价上有着明显的区别。
slc=single-levelcell，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约mlc3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。
mlc=multi-levelcell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命。
tlc=trinary-levelcell，即3bit/cell，也有flash厂家叫8lc，速度相对慢寿命相对短，价格便宜，约500次擦写寿命，是当下主流厂商首选闪存颗粒。
在闪存的市场上，分别以三星、东芝、闪迪、英特尔、sk海力士、美光等六家颗粒制造商为主，据统计它们六家的闪存产能几乎占据了nand闪存市场近9成的市场比重，几乎所有的工艺的创造和升级，都是由这么几家原厂所主导。
但是随着晶圆物理极限的不断迫近，固态硬盘上单体的存储单元内部的能够装载的闪存颗粒已经接近极限了，更加专业的术语表述就是单die能够装载的颗粒数已经到达极限了，要想进一步扩大单die的可用容量，就必须在技术上进行创新，于是3d nand技术也就应运而生了。
在面对2d nand向3d nand的更新换代中，除了三星、美光较成熟之外，其他家的3d nand良品率并不太高，量产严重不足，致整体的nand颗粒总出厂量不足，供应无法满足市场需求。
三星全球最大闪存芯片工厂将开工 据外媒报道，三星位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂近日已基本完成，预计将在今年7月份开始正式运营。这家新的芯片工厂的规模很有可能是全世界最大的，占地289万平方米。三星计划在这家工厂里量产第四代3d nand闪存芯片，该芯片垂直堆叠达到64层。
新工厂从2015年开始建造，耗资15.6万亿韩元（约合136亿美元）。平面和垂直nand闪存芯片的总产能预计将达到每月45万片晶圆，3dnand闪存芯片将占据一半以上。
三星目前是全球最大的nand闪存芯片制造商。市场研究公司ihsmarkit发布的报告显示，三星去年在nand闪存芯片市场的份额从2015年的32%增长到了36.1%。（
全球最大！三星最新芯片工厂7月开始运营
韩国媒体也提到，三星已经要求他们的合作伙伴供应必要的芯片制造设备，至少要在五月底之前全部到位。新工厂的产量将较为有限，需要几年时间才能全面运转。三星预计将于今年开始在这一芯片制造综合体运营，不过具体的时间表目前还是没有的。
这座工厂将主要用来量产三星第四代3d nand闪存芯片，垂直堆叠达到64层，月产能将达45万块晶圆，3d闪存占一半以上。
不过工厂需要几年时间才能全面运转，并达到最高产能，所以对于当前闪存和固态硬盘价格持续高涨的情况，不会有什么明显的缓解作用。
三星芯片制造的中心或许会开始转向安卓平台 此前有传言表示，丢掉苹果a系列处理器订单之后，三星或许会分拆芯片订单业务。无法与台积电竞争，这对于三星来说是一个极大的打击。不过，随着新工厂的逐渐开始运转，这样的传闻似乎也有可能随之消失。
此前，苹果的a系列处理器芯片一直是三星和台积电共同进行生产。不过可惜的是，三星并没有得到苹果的a10处理器芯片订单。明年的a11订单，三星恐怕还是无法拿到订单。原本他们能够拿到三分之一的订单，但是现在的状况无限趋近于台积电得到所有的a11订单。不过，三星芯片制造的中心或许会开始转向安卓平台，它们刚刚凭借最新的10nm技术拿下了高通骁龙835的订单。
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去年下半年曾有分析报告预测称，三星、sk海力士、东芝、西数、美光和英特尔在将生产线从2d-nand转至3d-nand之后，产能和价格上涨问题将获得部分缓解。但是至少目前看来，相关厂商的转产还没有完成，而且无论是哪一方的观点都认为，固态硬盘的上涨仍将持续一段时间。
闪存颗粒到底是什么？ 闪存颗粒，又称闪存，是一种非易失性存储器，即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据，而且是以固定的区块为单位，而不是以单个的字节为单位。根据用途和规格不同，闪存颗粒有很多不同的变种，存储设备中的、最为常用的nand闪存颗粒。
根据nand闪存中电子单元密度的差异，又可以分为slc（单层次存储单元）、mlc（双层存储单元）以及tlc（三层存储单元），此三种存储单元在寿命以及造价上有着明显的区别。
slc=single-levelcell，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约mlc3倍以上的价格），约10万次擦写寿命。
mlc=multi-levelcell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命。
tlc=trinary-levelcell，即3bit/cell，也有flash厂家叫8lc，速度相对慢寿命相对短，价格便宜，约500次擦写寿命，是当下主流厂商首选闪存颗粒。
在闪存的市场上，分别以三星、东芝、闪迪、英特尔、sk海力士、美光等六家颗粒制造商为主，据统计它们六家的闪存产能几乎占据了nand闪存市场近9成的市场比重，几乎所有的工艺的创造和升级，都是由这么几家原厂所主导。
但是随着晶圆物理极限的不断迫近，固态硬盘上单体的存储单元内部的能够装载的闪存颗粒已经接近极限了，更加专业的术语表述就是单die能够装载的颗粒数已经到达极限了，要想进一步扩大单die的可用容量，就必须在技术上进行创新，于是3d nand技术也就应运而生了。
在面对2d nand向3d nand的更新换代中，除了三星、美光较成熟之外，其他家的3d nand良品率并不太高，量产严重不足，致整体的nand颗粒总出厂量不足，供应无法满足市场需求。
三星全球最大闪存芯片工厂将开工 据外媒报道，三星位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂近日已基本完成，预计将在今年7月份开始正式运营。这家新的芯片工厂的规模很有可能是全世界最大的，占地289万平方米。三星计划在这家工厂里量产第四代3d nand闪存芯片，该芯片垂直堆叠达到64层。
新工厂从2015年开始建造，耗资15.6万亿韩元（约合136亿美元）。平面和垂直nand闪存芯片的总产能预计将达到每月45万片晶圆，3dnand闪存芯片将占据一半以上。
三星目前是全球最大的nand闪存芯片制造商。市场研究公司ihsmarkit发布的报告显示，三星去年在nand闪存芯片市场的份额从2015年的32%增长到了36.1%。（
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这座工厂将主要用来量产三星第四代3d nand闪存芯片，垂直堆叠达到64层，月产能将达45万块晶圆，3d闪存占一半以上。
不过工厂需要几年时间才能全面运转，并达到最高产能，所以对于当前闪存和固态硬盘价格持续高涨的情况，不会有什么明显的缓解作用。
三星芯片制造的中心或许会开始转向安卓平台 此前有传言表示，丢掉苹果a系列处理器订单之后，三星或许会分拆芯片订单业务。无法与台积电竞争，这对于三星来说是一个极大的打击。不过，随着新工厂的逐渐开始运转，这样的传闻似乎也有可能随之消失。
此前，苹果的a系列处理器芯片一直是三星和台积电共同进行生产。不过可惜的是，三星并没有得到苹果的a10处理器芯片订单。明年的a11订单，三星恐怕还是无法拿到订单。原本他们能够拿到三分之一的订单，但是现在的状况无限趋近于台积电得到所有的a11订单。不过，三星芯片制造的中心或许会开始转向安卓平台，它们刚刚凭借最新的10nm技术拿下了高通骁龙835的订单。
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